通常反射率計(jì)由光源、單色儀和探測(cè)器等組成,要求所用的光對(duì)生長(zhǎng)層是透明的。其P89C51RD2HBA工作原理是基于外延層一襯底界面和外延層表面產(chǎn)生的Fabry-Perot干涉形成振蕩周期。這個(gè)振蕩周期通常與光源波長(zhǎng)、材料厚度及相應(yīng)波長(zhǎng)在材料中的折射率有關(guān)。最簡(jiǎn)單的反射譜是記錄垂直照射到生長(zhǎng)層表面的單色光的反射隨時(shí)間的變化。如取GaN折射率為2,35,入射波長(zhǎng)為b~s5nm,垂直入射時(shí)每一個(gè)振蕩周期對(duì)應(yīng)的外延層厚度為135nm。由此也可以根據(jù)周期及其時(shí)間跨度計(jì)算出生長(zhǎng)速度。目前使用的光源波長(zhǎng)主要有635nm、95Onm和400nm。

   在中晟MOCVD等新型技術(shù)設(shè)備中,輻射高溫計(jì)和反射率計(jì)已被成功集成于同一套測(cè)量系統(tǒng)內(nèi),使得設(shè)備裝配簡(jiǎn)潔的同時(shí)提升了測(cè)量功能和數(shù)據(jù)處理能力。

   翹曲率測(cè)量?jī)x,又稱光束撓度計(jì)(dcncct。mcter),專用來(lái)測(cè)量外延片的翹曲曲率。在外延生長(zhǎng)中,外延層與襯底材料通常為異質(zhì)外延生長(zhǎng),這樣就容易產(chǎn)生應(yīng)力。應(yīng)力使外延片發(fā)生翹曲。通過(guò)測(cè)量翹曲率,來(lái)計(jì)算異質(zhì)外延生長(zhǎng)時(shí)由于晶格失配和熱失配所產(chǎn)生的應(yīng)力,反之可利用相關(guān)信息優(yōu)化外延生長(zhǎng)工藝和托盤的設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)襯底片上均勻的溫場(chǎng)分布和材料的外延均勻生長(zhǎng),避免翹曲甚至裂紋出現(xiàn),保證外延材料的高質(zhì)量。例如,在GaN基LED外延生長(zhǎng)過(guò)程中,通過(guò)監(jiān)測(cè)翹曲率知曉實(shí)時(shí)生長(zhǎng)時(shí)的應(yīng)力情況,及時(shí)調(diào)整參數(shù)以規(guī)避過(guò)大彎曲,使得外延生長(zhǎng)成功。又如,通過(guò)預(yù)知外延片在不同階段翹曲情況,可以相應(yīng)改變生長(zhǎng)參數(shù)使在生長(zhǎng)InGaN量子阱時(shí)襯底處于平坦?fàn)顟B(tài)且與基座有良好的熱接觸,從而改善襯底溫度均勻性,提高器件發(fā)光波長(zhǎng)的均勻性。