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24G SAS基礎設施實現(xiàn)低速SAS或SATA硬盤驅(qū)動器高效聚合

發(fā)布時間:2021/5/27 18:49:50 訪問次數(shù):402

智能存儲第四代 PCIe三模式SmartROC (RAID-on-Chip)3200和SmartIOC (I/O 控制器)2200存儲控制器具有高度安全和易管理特性,可以滿足服務器存儲應用的嚴苛要求。

第四代 PCIe的服務器和非易失性固態(tài)硬盤快速轉(zhuǎn)型,以實現(xiàn)高性能存儲,我們將繼續(xù)致力于提供多功能和創(chuàng)新型的控制器產(chǎn)品,同時利用SAS/SATA HDD實現(xiàn)大容量存儲。

采用DirectPath技術實現(xiàn)低延遲非易失性(NVMe)傳輸?shù)牡谒拇鶳CIe接口,以及第一個支持帶動態(tài)通道復用(DCM)24G SAS,在 24G SAS 基礎設施上實現(xiàn)低速 SAS 或 SATA 硬盤驅(qū)動器的高效聚合。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:參考電壓 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 參考類型:Shunt Precision References 輸出電壓:2.5 V 初始準確度:3 % 溫度系數(shù):150 PPM/C 分流電流—最大值:20 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 系列: 封裝:Tube 準確性:20 mV 描述/功能:MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODE 高度:1.45 mm 長度:4.9 mm 產(chǎn)品:Voltage References 寬度:3.9 mm 商標:Texas Instruments 分流電流—最小值:20 uA 拓撲結(jié)構(gòu):Shunt References 負載調(diào)節(jié):20 mV 產(chǎn)品類型:Voltage References 95 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:143 mg

嵌入式MXM圖形模塊:

可通過NVIDIA® CUDA®、Tensor和RT核心加速計算

尺寸只有全高全長PCI Express圖形卡的五分之一

使用壽命為非嵌入式圖形模塊的三倍以上

功耗低至50瓦

基于Turing架構(gòu)的嵌入式MXM圖形模塊,為邊緣計算與邊緣Al推理注入強大的運算能力,并符合客戶面臨的SWaP要求。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

智能存儲第四代 PCIe三模式SmartROC (RAID-on-Chip)3200和SmartIOC (I/O 控制器)2200存儲控制器具有高度安全和易管理特性,可以滿足服務器存儲應用的嚴苛要求。

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采用DirectPath技術實現(xiàn)低延遲非易失性(NVMe)傳輸?shù)牡谒拇鶳CIe接口,以及第一個支持帶動態(tài)通道復用(DCM)24G SAS,在 24G SAS 基礎設施上實現(xiàn)低速 SAS 或 SATA 硬盤驅(qū)動器的高效聚合。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:參考電壓 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 參考類型:Shunt Precision References 輸出電壓:2.5 V 初始準確度:3 % 溫度系數(shù):150 PPM/C 分流電流—最大值:20 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 系列: 封裝:Tube 準確性:20 mV 描述/功能:MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODE 高度:1.45 mm 長度:4.9 mm 產(chǎn)品:Voltage References 寬度:3.9 mm 商標:Texas Instruments 分流電流—最小值:20 uA 拓撲結(jié)構(gòu):Shunt References 負載調(diào)節(jié):20 mV 產(chǎn)品類型:Voltage References 95 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:143 mg

嵌入式MXM圖形模塊:

可通過NVIDIA® CUDA®、Tensor和RT核心加速計算

尺寸只有全高全長PCI Express圖形卡的五分之一

使用壽命為非嵌入式圖形模塊的三倍以上

功耗低至50瓦

基于Turing架構(gòu)的嵌入式MXM圖形模塊,為邊緣計算與邊緣Al推理注入強大的運算能力,并符合客戶面臨的SWaP要求。


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