由于Primo Twin-Star®反應(yīng)器在很多方面采取了和單臺機(jī)Primo nanova®相同或相似的設(shè)計(jì)，在眾多的刻蝕應(yīng)用中，Primo Twin-Star®顯示了和單臺反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果。

這就給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。

Primo Twin-Star®刻蝕設(shè)備已收到來自國內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單。目前，首臺Primo Twin-Star®設(shè)備已交付客戶投入生產(chǎn)，良率穩(wěn)定。

進(jìn)行用于不同刻蝕應(yīng)用多項(xiàng)評估,Primo Twin-Star®設(shè)備優(yōu)化電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數(shù)量:2 Channel 電源電壓-最大:32 V, +/- 16 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:1 MHz 每個(gè)通道的輸出電流:40 mA SR - 轉(zhuǎn)換速率 :600 mV/us Vos - 輸入偏置電壓 :3 mV 電源電壓-最小:3 V, +/- 1.5 V 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C Ib - 輸入偏流:100 nA 工作電源電流:1.2 mA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:65 dB 系列: 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 高度:1.5 mm 長度:5 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:4 mm 商標(biāo):ON Semiconductor 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:65 dB 2500 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 電壓增益 dB:100 dB 單位重量:540 mg

GreenPAK產(chǎn)品在很多應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)低于微安（uA）的工作電流消耗、納秒響應(yīng)時(shí)間，采用基于電路框圖的設(shè)計(jì)和仿真，通過標(biāo)準(zhǔn)PC USB端口進(jìn)行連接，即可用軟件工具實(shí)現(xiàn)原型設(shè)計(jì)和配置。

開關(guān)電源經(jīng)常需要硬開關(guān)驅(qū)動大功率負(fù)載，在硬開關(guān)以及布局限制的情況下，功率MOSFET往往會對驅(qū)動芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。

地彈電壓會造成驅(qū)動器輸入端等效出現(xiàn)負(fù)電壓，因?yàn)閮?nèi)部等效體二極管，大多數(shù)柵極驅(qū)動器能夠承受一定的負(fù)壓脈沖。

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