雙層容性二氧化硅(SiO2)絕緣層隔離額度UL 1577認(rèn)證的應(yīng)用
發(fā)布時間:2021/6/1 19:11:34 訪問次數(shù):405
ISO6721-Q1是高性能雙路數(shù)字隔離器,需要高達(dá)5000 VRMS (DWV封裝)和3000 VRMS(D封裝)隔離額度UL 1577認(rèn)證的應(yīng)用.
ISO6720-Q1器件在同一方向有兩路,而ISO6721-Q1有兩個隔離通路,一路在每個方向.
器件還獲得VDE, TUV, CSA和 CQC認(rèn)證.ISO672x-Q1具有在低功耗時的高電磁免疫度和低輻射性,同時隔離CMOS或LVCMOS數(shù)字I/O.
每個隔離通路有邏輯輸入和輸出緩沖器,它們由TI的雙層容性二氧化硅(SiO2)絕緣層隔離.
制造商:Microchip 產(chǎn)品種類:電容觸摸傳感器 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):Microchip Technology 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:Touch Sensors 工廠包裝數(shù)量5000 子類別:Sensors 單位重量:63.600 mg
1EDI20I12AH(1EDIxxI12AH和1EDIxxH12AH)是通用IGBT柵極驅(qū)動器,基本控制和保護(hù)特性支持高度可靠系統(tǒng)的快速和容易設(shè)計(jì).
設(shè)計(jì)采用Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高頻開關(guān)性能,得到小型和輕的成本效益的系統(tǒng).峰值效率為96.5%,功率密度為53 W/in^3或3 KW/L.
外形尺寸為220mmx180mmx50mm.參考設(shè)計(jì)采用通用單相輸入電壓,90V和265V之間.輸出電壓250 V-450 V DC,充電模式的輸出電流為18A,最大輸出功率6.6kW.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
ISO6721-Q1是高性能雙路數(shù)字隔離器,需要高達(dá)5000 VRMS (DWV封裝)和3000 VRMS(D封裝)隔離額度UL 1577認(rèn)證的應(yīng)用.
ISO6720-Q1器件在同一方向有兩路,而ISO6721-Q1有兩個隔離通路,一路在每個方向.
器件還獲得VDE, TUV, CSA和 CQC認(rèn)證.ISO672x-Q1具有在低功耗時的高電磁免疫度和低輻射性,同時隔離CMOS或LVCMOS數(shù)字I/O.
每個隔離通路有邏輯輸入和輸出緩沖器,它們由TI的雙層容性二氧化硅(SiO2)絕緣層隔離.
制造商:Microchip 產(chǎn)品種類:電容觸摸傳感器 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):Microchip Technology 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:Touch Sensors 工廠包裝數(shù)量5000 子類別:Sensors 單位重量:63.600 mg
1EDI20I12AH(1EDIxxI12AH和1EDIxxH12AH)是通用IGBT柵極驅(qū)動器,基本控制和保護(hù)特性支持高度可靠系統(tǒng)的快速和容易設(shè)計(jì).
設(shè)計(jì)采用Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高頻開關(guān)性能,得到小型和輕的成本效益的系統(tǒng).峰值效率為96.5%,功率密度為53 W/in^3或3 KW/L.
外形尺寸為220mmx180mmx50mm.參考設(shè)計(jì)采用通用單相輸入電壓,90V和265V之間.輸出電壓250 V-450 V DC,充電模式的輸出電流為18A,最大輸出功率6.6kW.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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