有源箝位解決方案ClampZero™結(jié)合使用馬達(dá)驅(qū)動
發(fā)布時間:2021/6/5 23:46:22 訪問次數(shù):278
首批基于InnoSwitch4-CZ 器件的消費(fèi)類充電設(shè)備。
InnoSwitch4-CZ系列IC的推出標(biāo)志著氮化鎵(GaN)技術(shù)達(dá)到了一個重要里程碑。PowiGaN開關(guān)與我們的有源箝位解決方案ClampZero™結(jié)合使用,可實(shí)現(xiàn)高效的設(shè)計和極為緊湊的外形尺寸。
我們很高興與Anker團(tuán)隊密切合作,將這種新型的移動充電器推向市場。單核Arm® Cortex®-M4F MCU工作頻率高達(dá)400MHz,具有帶SECDED ECC的256KB SRAM.
雙64位Arm® Cortex®-A53處理器子系統(tǒng)工作頻率高達(dá)1.0GHz,雙核Cortex-A53集群具有256KB L2共享SECDED ECC,每個A53核有帶SECDED ECC的32KB L1 DCache和帶極性保護(hù)的32KB L1 ICache.
2個雙核Arm® Cortex®-R5F MCU子系統(tǒng)工作頻率高達(dá)800MHz,用于實(shí)時處理,雙核Arm® Cortex®-R5F支持雙核和單核模式.
主要用在實(shí)時處理和通信獨(dú)特組合的工業(yè)應(yīng)用如馬達(dá)驅(qū)動和可編邏輯控制器(PLC)以及工業(yè)機(jī)器人和遙控I/O.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
首批基于InnoSwitch4-CZ 器件的消費(fèi)類充電設(shè)備。
InnoSwitch4-CZ系列IC的推出標(biāo)志著氮化鎵(GaN)技術(shù)達(dá)到了一個重要里程碑。PowiGaN開關(guān)與我們的有源箝位解決方案ClampZero™結(jié)合使用,可實(shí)現(xiàn)高效的設(shè)計和極為緊湊的外形尺寸。
我們很高興與Anker團(tuán)隊密切合作,將這種新型的移動充電器推向市場。單核Arm® Cortex®-M4F MCU工作頻率高達(dá)400MHz,具有帶SECDED ECC的256KB SRAM.
雙64位Arm® Cortex®-A53處理器子系統(tǒng)工作頻率高達(dá)1.0GHz,雙核Cortex-A53集群具有256KB L2共享SECDED ECC,每個A53核有帶SECDED ECC的32KB L1 DCache和帶極性保護(hù)的32KB L1 ICache.
2個雙核Arm® Cortex®-R5F MCU子系統(tǒng)工作頻率高達(dá)800MHz,用于實(shí)時處理,雙核Arm® Cortex®-R5F支持雙核和單核模式.
主要用在實(shí)時處理和通信獨(dú)特組合的工業(yè)應(yīng)用如馬達(dá)驅(qū)動和可編邏輯控制器(PLC)以及工業(yè)機(jī)器人和遙控I/O.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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