JFET摻雜技術(shù)的導(dǎo)通電阻降低約15%的高分辨率3-D點(diǎn)云
發(fā)布時(shí)間:2021/6/14 7:40:58 訪問(wèn)次數(shù):350
第二代全SiC（碳化硅）功率模塊，該模塊采用一種全新開(kāi)發(fā)的工業(yè)用SiC芯片。
組件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高載操作有望促進(jìn)在各種工業(yè)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)更高效、更小、重量更輕的功率設(shè)備。
與三菱第一代SiC產(chǎn)品相比，JFET摻雜技術(shù)的導(dǎo)通電阻降低了約15%。
減小鏡像電容（mirror capacitance 即MOSFET結(jié)構(gòu)中柵極和漏極之間的雜散電容）可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)并降低開(kāi)關(guān)損耗。
掃描環(huán)境時(shí)，固態(tài)技術(shù)可提供遠(yuǎn)距離和高空間分辨率。這可以對(duì)環(huán)境進(jìn)行精確建模，并且可以更快，更準(zhǔn)確地檢測(cè)道路變化。
LiDAR是確保流程自動(dòng)化中最大安全性的完美關(guān)鍵技術(shù)。我們的新型ibeoNEXT固態(tài)LiDAR具有出色的色彩，可以滿足這些要求，并可以在廣泛的應(yīng)用中使用。
該傳感器每秒可處理超過(guò)一百萬(wàn)個(gè)距離值,它可以在不移動(dòng)部件（真正的固態(tài)）的情況下工作，并生成用于物體檢測(cè)的高分辨率3-D點(diǎn)云以及其他黑白圖像。
(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
第二代全SiC（碳化硅）功率模塊，該模塊采用一種全新開(kāi)發(fā)的工業(yè)用SiC芯片。
組件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高載操作有望促進(jìn)在各種工業(yè)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)更高效、更小、重量更輕的功率設(shè)備。
與三菱第一代SiC產(chǎn)品相比，JFET摻雜技術(shù)的導(dǎo)通電阻降低了約15%。
減小鏡像電容（mirror capacitance 即MOSFET結(jié)構(gòu)中柵極和漏極之間的雜散電容）可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)并降低開(kāi)關(guān)損耗。
掃描環(huán)境時(shí)，固態(tài)技術(shù)可提供遠(yuǎn)距離和高空間分辨率。這可以對(duì)環(huán)境進(jìn)行精確建模，并且可以更快，更準(zhǔn)確地檢測(cè)道路變化。
LiDAR是確保流程自動(dòng)化中最大安全性的完美關(guān)鍵技術(shù)。我們的新型ibeoNEXT固態(tài)LiDAR具有出色的色彩，可以滿足這些要求，并可以在廣泛的應(yīng)用中使用。
該傳感器每秒可處理超過(guò)一百萬(wàn)個(gè)距離值,它可以在不移動(dòng)部件（真正的固態(tài)）的情況下工作，并生成用于物體檢測(cè)的高分辨率3-D點(diǎn)云以及其他黑白圖像。
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