TOLT封裝針對優(yōu)異的熱性能進(jìn)行優(yōu)化。此封裝在結(jié)構(gòu)方面采用上下翻轉(zhuǎn)的導(dǎo)線，將裸露的金屬置于頂端，且每一面都有多條鷗翼型導(dǎo)線，可提供高電流承載的漏極與源極連接。

在導(dǎo)線上下翻轉(zhuǎn)的框架中，熱量會(huì)從裸露的金屬頂端穿過絕緣材料，直接傳到散熱片。與TOLL底部冷卻封裝相比，TOLT的 R thJA改善了20%，R thJC則改善了50%。

這些規(guī)格可降低系統(tǒng)物料成本，特別是散熱片。此外，由于現(xiàn)在可將組件安裝在MOSFET的底部，因此采用TOLT封裝的OptiMOS能夠減少PCB空間。

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商零件編號

GF1G-E3/67A

描述

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）

詳細(xì)描述 標(biāo)準(zhǔn)-表面貼裝-二極管-400V-1A-DO-214BA（GF1）

二極管類型 標(biāo)準(zhǔn)

電壓 - DC 反向（Vr）（最大值） 400V

電流 - 平均整流（Io） 1A

不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf 1.1V @ 1A

速度 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 2μs

不同 Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流 5μA @ 400V

不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容 -

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 DO-214BA

供應(yīng)商器件封裝 DO-214BA（GF1）

工作溫度 - 結(jié) -65°C ~ 175°C

合ISO 11452-8要求的雜散場穩(wěn)健性位置檢測（線性和上至360°旋轉(zhuǎn)）

180°旋轉(zhuǎn)應(yīng)用的梯度雜散場補(bǔ)償

真3D磁場測量BX, BY和BZ

傳輸位置信息，最多兩個(gè)已計(jì)算的角度、角速度、磁場幅度和/或芯片溫度

SEooC符合ISO 26262的要求，可支持功能安全應(yīng)用

寬供電電壓范圍：3.0 V到18 V

-40 °C至160 °C的寬溫度范圍，適用于汽車應(yīng)用

帶集成去耦電容器的三引腳TO92UF晶體管封裝