繼電器或可控硅周期性地與交流線路連接和斷開
發(fā)布時間:2021/6/22 19:05:33 訪問次數:168
由于EPC2054具有低電阻、低開關損耗、沒有反向恢復電荷、快速開關、可在高頻下工作和微小的占板面積等優(yōu)勢,因此可實現(xiàn)低成本且具有高功率密度的解決方案,適用于但不限于高頻DC/DC轉換器、同步整流、無線電源、D類音頻放大器、自動化、太陽能和光學等應用。
氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器,以及低成本衛(wèi)星等應用。
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286
模數轉換器 - ADC
3,660
電源開關 IC - 配電
15,134
參考電壓
425
電燈開關、調光器、傳感器和插頭等設備使用繼電器或可控硅周期性地與交流線路連接和斷開。
通常需要采用分立電路來檢測交流輸入的過零點,以控制主功率器件的接入切換,同時可降低開關損耗和浪涌電流。
但這種方法需要很多元件,而且損耗很大,在某些情況下幾乎會消耗一半的待機功率預算。同樣,家電通常使用分立的過零點檢測電路來控制電機和微控制器時序。
這些應用還需要輔助電源為無線連接、門極驅動器、傳感器和顯示器等功能供電。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
由于EPC2054具有低電阻、低開關損耗、沒有反向恢復電荷、快速開關、可在高頻下工作和微小的占板面積等優(yōu)勢,因此可實現(xiàn)低成本且具有高功率密度的解決方案,適用于但不限于高頻DC/DC轉換器、同步整流、無線電源、D類音頻放大器、自動化、太陽能和光學等應用。
氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器,以及低成本衛(wèi)星等應用。
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電燈開關、調光器、傳感器和插頭等設備使用繼電器或可控硅周期性地與交流線路連接和斷開。
通常需要采用分立電路來檢測交流輸入的過零點,以控制主功率器件的接入切換,同時可降低開關損耗和浪涌電流。
但這種方法需要很多元件,而且損耗很大,在某些情況下幾乎會消耗一半的待機功率預算。同樣,家電通常使用分立的過零點檢測電路來控制電機和微控制器時序。
這些應用還需要輔助電源為無線連接、門極驅動器、傳感器和顯示器等功能供電。
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