柵極源極間額定電壓采用低電感封裝和通信控制開發(fā)

發(fā)布時間:2021/6/27 22:14:55 訪問次數(shù):144

GaN器件所采用的封裝形式，具有出色的散熱性能且通用性非常好，在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實際應(yīng)用記錄，因此，將使現(xiàn)有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。

通過采用銅片鍵合封裝技術(shù)，使寄生電感值相比以往封裝降低了55％，從而在設(shè)計可能會高頻工作的電路時，可以更大程度地發(fā)揮出器件的性能。

GaN器件不僅提高了柵極-源極間額定電壓并采用了低電感封裝，還能夠更大程度地發(fā)揮出器件的性能，與硅器件相比，開關(guān)損耗可降低約65％。

制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 封裝 / 箱體:SOIC-14 晶體管極性:NPN 配置:Quint 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 集電極—基極電壓 VCBO:20 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 最大直流電集電極電流:0.05 A Pd-功率耗散:300 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:550 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C 高度:1.5 mm 長度:8.65 mm 技術(shù):Si 寬度:3.9 mm 商標:Renesas / Intersil 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 at 1 mA, 3 V 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 子類別:Transistors 單位重量:241 mg

開發(fā)環(huán)境新型RX23W模塊采用與RX MCU相同的軟件開發(fā)環(huán)境，開發(fā)人員可同時進行系統(tǒng)控制和通信控制開發(fā)。Smart Configurator幫助開發(fā)人員利用GUI生成用于外設(shè)功能和藍牙驅(qū)動代碼，并配置引腳設(shè)置。QE for BLE則可幫助開發(fā)人員生成用于自定義藍牙配置文件的程序。

藍牙測試工具套件提供GUI，允許開發(fā)人員執(zhí)行初始無線特性評估和藍牙功能驗證。

這些工具適用于開發(fā)過程中各個環(huán)節(jié)，為開發(fā)人員帶來從初始階段到應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)全面支持，顯著提高開發(fā)效率。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

GaN器件不僅提高了柵極-源極間額定電壓并采用了低電感封裝，還能夠更大程度地發(fā)揮出器件的性能，與硅器件相比，開關(guān)損耗可降低約65％。

藍牙測試工具套件提供GUI，允許開發(fā)人員執(zhí)行初始無線特性評估和藍牙功能驗證。

這些工具適用于開發(fā)過程中各個環(huán)節(jié)，為開發(fā)人員帶來從初始階段到應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)全面支持，顯著提高開發(fā)效率。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

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