在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運(yùn)算能力單臺(tái)反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果
發(fā)布時(shí)間:2021/6/30 22:51:37 訪問(wèn)次數(shù):478
由于Primo Twin-Star®反應(yīng)器在很多方面采取了和單臺(tái)機(jī)Primo nanova®相同或相似的設(shè)計(jì),在眾多的刻蝕應(yīng)用中,Primo Twin-Star®顯示了和單臺(tái)反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果。這就給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。
Primo Twin-Star®刻蝕設(shè)備已收到來(lái)自國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單。
目前,首臺(tái)Primo Twin-Star®設(shè)備已交付客戶投入生產(chǎn),良率穩(wěn)定。公司還在進(jìn)行用于不同刻蝕應(yīng)用的多項(xiàng)評(píng)估。
Primo Twin-Star®設(shè)備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。
在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運(yùn)算能力上,Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯(cuò)碼(ECC),全面實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力,進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性,同時(shí)也緩解了系統(tǒng)錯(cuò)誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫(xiě)的高效機(jī)制。
BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍,信號(hào)能夠更完整高效地傳遞。DDR5 DIMM新架構(gòu)采用兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道,提高了并發(fā)性,并使系統(tǒng)中可用內(nèi)存通道增加一倍。
在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能,增加CA、CS類(lèi)信號(hào)也使用了ODT。因此,Longsys DDR5內(nèi)存進(jìn)一步減少了信號(hào)脈沖的反射干擾效應(yīng),讓信號(hào)傳輸更加純凈。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
由于Primo Twin-Star®反應(yīng)器在很多方面采取了和單臺(tái)機(jī)Primo nanova®相同或相似的設(shè)計(jì),在眾多的刻蝕應(yīng)用中,Primo Twin-Star®顯示了和單臺(tái)反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果。這就給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。
Primo Twin-Star®刻蝕設(shè)備已收到來(lái)自國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單。
目前,首臺(tái)Primo Twin-Star®設(shè)備已交付客戶投入生產(chǎn),良率穩(wěn)定。公司還在進(jìn)行用于不同刻蝕應(yīng)用的多項(xiàng)評(píng)估。
Primo Twin-Star®設(shè)備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。
在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運(yùn)算能力上,Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯(cuò)碼(ECC),全面實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力,進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性,同時(shí)也緩解了系統(tǒng)錯(cuò)誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫(xiě)的高效機(jī)制。
BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍,信號(hào)能夠更完整高效地傳遞。DDR5 DIMM新架構(gòu)采用兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道,提高了并發(fā)性,并使系統(tǒng)中可用內(nèi)存通道增加一倍。
在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能,增加CA、CS類(lèi)信號(hào)也使用了ODT。因此,Longsys DDR5內(nèi)存進(jìn)一步減少了信號(hào)脈沖的反射干擾效應(yīng),讓信號(hào)傳輸更加純凈。
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