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PFC級(jí)的能效通常為97%LLC電路實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的性能

發(fā)布時(shí)間:2021/7/4 23:25:59 訪問(wèn)次數(shù):691

MAX16550是具有SMBus/PMBus™控制和報(bào)告的12V總線保護(hù)集成電路,集成了MOSFET,無(wú)損耗電流檢測(cè)和PMBus接口.

器件為系統(tǒng)的12V電源提供了關(guān)于失真,控制,監(jiān)視和保護(hù)的最佳解決方案.

同時(shí)內(nèi)部的LDO還提供了保護(hù)IC的電源.MAX16550的保護(hù)電流30A,30A的高密度尺寸為4mmx4.5mm,比通常解決方案板面積要小25%,具有電源,控制和監(jiān)視單片集成.集成的功率MOSFET在12V電源通路中的RDS(ON)為1.9mΩ.

主要用在服務(wù)器,網(wǎng)絡(luò),存儲(chǔ),通信設(shè)備和AC/DC電源.

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270

厚膜電阻器 - SMD

9,210

專(zhuān)用臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器,是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。

在傳統(tǒng)的PFC電路中,整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W,占總損耗的20%左右。相比之下,PFC級(jí)的能效通常為97%,LLC電路實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的性能。

用 "圖騰柱 "配置的開(kāi)關(guān)取代有損耗的二極管,并拉入升壓PFC功能,減少電橋損耗,顯著提高整體能效。

此外,NCP1680可適用于任何開(kāi)關(guān)類(lèi)型,無(wú)論是超級(jí)結(jié)硅MOSFET還是碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶開(kāi)關(guān)。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

MAX16550是具有SMBus/PMBus™控制和報(bào)告的12V總線保護(hù)集成電路,集成了MOSFET,無(wú)損耗電流檢測(cè)和PMBus接口.

器件為系統(tǒng)的12V電源提供了關(guān)于失真,控制,監(jiān)視和保護(hù)的最佳解決方案.

同時(shí)內(nèi)部的LDO還提供了保護(hù)IC的電源.MAX16550的保護(hù)電流30A,30A的高密度尺寸為4mmx4.5mm,比通常解決方案板面積要小25%,具有電源,控制和監(jiān)視單片集成.集成的功率MOSFET在12V電源通路中的RDS(ON)為1.9mΩ.

主要用在服務(wù)器,網(wǎng)絡(luò),存儲(chǔ),通信設(shè)備和AC/DC電源.

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專(zhuān)用臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器,是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。

在傳統(tǒng)的PFC電路中,整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W,占總損耗的20%左右。相比之下,PFC級(jí)的能效通常為97%,LLC電路實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的性能。

用 "圖騰柱 "配置的開(kāi)關(guān)取代有損耗的二極管,并拉入升壓PFC功能,減少電橋損耗,顯著提高整體能效。

此外,NCP1680可適用于任何開(kāi)關(guān)類(lèi)型,無(wú)論是超級(jí)結(jié)硅MOSFET還是碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶開(kāi)關(guān)。

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