低導通電阻(RDS(on))和小巧的芯片尺寸9A灌電流峰值能力
發(fā)布時間:2021/7/4 23:30:30 訪問次數(shù):337
NCP1680采用小型SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開發(fā)和調(diào)試先進的圖騰柱PFC設(shè)計。
根據(jù)圖騰柱開關(guān)技術(shù)中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 門極驅(qū)動器或 NCP51561 隔離型 SiC MOSFET 門極驅(qū)動器一起使用。
NCP51561 是隔離型雙通道門極驅(qū)動器，具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SO-8晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:2 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20 VId-連續(xù)漏極電流:5.3 ARds On-漏源導通電阻:98 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 VVgs th-柵源極閾值電壓:700 mVQg-柵極電荷:19 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:2 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Dual高度:1.75 mm長度:4.9 mm晶體管類型:2 P-Channel寬度:3.9 mm商標:Infineon / IR產(chǎn)品類型:MOSFET4000子類別:MOSFETs單位重量:540 mg
集成半橋BridgeSwitch™系列極大地簡化高壓逆變1相和3相PM或BLDC馬達驅(qū)動的開發(fā)和生產(chǎn).器件集成了兩個高壓(600V)N溝功率FREDFET,在單個小型封裝內(nèi)具有低邊和高邊驅(qū)動器.
低導通電阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸確保低電容和門極電荷 (Qg)，以在更小的系統(tǒng)尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。
安森美半導體已發(fā)布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封裝的 650 V SiC MOSFET，并將繼續(xù)猛增該產(chǎn)品系列。 此外，安森美半導體提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 產(chǎn)品組合。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
NCP1680采用小型SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開發(fā)和調(diào)試先進的圖騰柱PFC設(shè)計。
根據(jù)圖騰柱開關(guān)技術(shù)中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 門極驅(qū)動器或 NCP51561 隔離型 SiC MOSFET 門極驅(qū)動器一起使用。
NCP51561 是隔離型雙通道門極驅(qū)動器，具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SO-8晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:2 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20 VId-連續(xù)漏極電流:5.3 ARds On-漏源導通電阻:98 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 VVgs th-柵源極閾值電壓:700 mVQg-柵極電荷:19 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:2 W通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Dual高度:1.75 mm長度:4.9 mm晶體管類型:2 P-Channel寬度:3.9 mm商標:Infineon / IR產(chǎn)品類型:MOSFET4000子類別:MOSFETs單位重量:540 mg
集成半橋BridgeSwitch™系列極大地簡化高壓逆變1相和3相PM或BLDC馬達驅(qū)動的開發(fā)和生產(chǎn).器件集成了兩個高壓(600V)N溝功率FREDFET,在單個小型封裝內(nèi)具有低邊和高邊驅(qū)動器.
低導通電阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸確保低電容和門極電荷 (Qg)，以在更小的系統(tǒng)尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。
安森美半導體已發(fā)布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封裝的 650 V SiC MOSFET，并將繼續(xù)猛增該產(chǎn)品系列。 此外，安森美半導體提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 產(chǎn)品組合。
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