實(shí)時(shí)控制子系統(tǒng)是基于32位C28x DSP核,提供浮點(diǎn)或定點(diǎn)核的100MHz 信號(hào)處理性能,運(yùn)營(yíng)片上閃存回SRAM.C28xCPU核還可從三角數(shù)學(xué)單元(TMU)和循環(huán)冗余校驗(yàn)(VCRC)擴(kuò)展指令集進(jìn)行引導(dǎo),從而加速實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)的共通算法.

十四個(gè)PWM通路,都支持獨(dú)立與頻率的分辨率模式,使得控制3相逆變器的各個(gè)功率級(jí),以達(dá)到先進(jìn)的多級(jí)功率拓?fù)?

主要應(yīng)用在工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng),馬達(dá)控制,太陽(yáng)能逆變器,數(shù)字功率,電動(dòng)汽車和交通,檢測(cè)和信號(hào)處理.

薄膜電容器

25

硬件調(diào)試器

477

電流傳感電阻器 - SMD

2,454

表面貼裝式保險(xiǎn)絲

2,297

多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT

7,324,392

多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT

2,778,165

信號(hào)調(diào)節(jié)

193,694

RF 開關(guān) IC

910

調(diào)節(jié)器/解調(diào)器

1,370

保險(xiǎn)絲座

206

600V 12A的Qspeed二極管，在硅二極管當(dāng)中具有業(yè)界最低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)特性。

在25°C時(shí)，Qrr僅為14nC，該二極管可提高車載充電器PFC級(jí)的效率，可顯著降低PFC MOSFET的溫升。通過AEC-Q101認(rèn)證的QH12TZ600Q具有與碳化硅(SiC)器件相同的低開關(guān)損耗性能，可是并沒有因?yàn)椴捎冒嘿F的技術(shù)而帶來(lái)成本增加的缺點(diǎn)。

這對(duì)于需要更高的開關(guān)頻率以減小體積和重量的汽車車載充電器應(yīng)用尤為重要，并且能使Qspeed二極管取代SiC器件。

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