轉(zhuǎn)換效率驅(qū)動電路設計方法的應用指南和SPICE模型

發(fā)布時間:2021/7/9 20:01:21 訪問次數(shù):496

損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67％，為普及中的車載電子設備和工業(yè)設備提供更高性價比.

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC SBD。

與通常損耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，損耗也可降低24％。在轉(zhuǎn)換效率方面，新產(chǎn)品可以在更寬的工作頻率范圍確保97％以上的高效率，并且在100kHz的工作頻率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設備應用的功耗。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 音頻放大器

RoHS: 詳細信息

系列: PGA2310

產(chǎn)品: Volume Controls

輸出功率: -

安裝風格: Through Hole

類型: 2-Channel Audio

封裝 / 箱體: PDIP-16

音頻 - 負載阻抗: 100 kOhms

THD + 噪聲: 0.0004 %

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 4.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tube

特點: Two Independent Audio Channels

商標: Texas Instruments

增益: + 31.5 dB to - 95.5 dB

通道數(shù)量: 2 Channel

開發(fā)套件: PGA2310EVM

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 1.5 MHz

工作電源電流: 7.5 mA, 7.7 mA, 800 uA

工作電源電壓: +/- 15 V, 5 V

產(chǎn)品類型: Audio Amplifiers

工廠包裝數(shù)量: 25

子類別: Audio ICs

Vos - 輸入偏置電壓 : 0.5 mV

單位重量: 1.054 g

在車載充電器中采用本產(chǎn)品時，與以往IGBT產(chǎn)品相比，損耗可降低67％，與超級結(jié)MOSFET（SJ-MOSFET）相比，損耗可降低24％，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設備應用的功耗。

在ROHM官網(wǎng)上還免費提供評估和導入本系列產(chǎn)品所需的豐富設計數(shù)據(jù)，其中包括含有驅(qū)動電路設計方法的應用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市場。

今后，ROHM將繼續(xù)開發(fā)滿足各種需求的低損耗功率元器件，同時，提供設計工具以及各種解決方案，通過助力應用系統(tǒng)的節(jié)能和小型化為減輕環(huán)境負荷貢獻力量。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）