先進(jìn)的高精度電源轉(zhuǎn)換、測量和控制系統(tǒng)等解決方案，這方面的技術(shù)更一直領(lǐng)先全球。

全新的 Paramount HP 10013 射頻電源。新產(chǎn)品推出之后，該公司旗艦產(chǎn)品 Paramount RF (射頻) 電源系列將會有更多型號可供選擇。

Advanced Energy 的等離子工藝設(shè)備電源系統(tǒng)適用于半導(dǎo)體蝕刻、介電質(zhì)蝕刻、沉積、濺鍍、離子植入等半導(dǎo)體和等離子薄膜工藝設(shè)備.

Paramount HP 10013 沿用這種在市場一直居領(lǐng)導(dǎo)地位等離子工藝電源技術(shù),但性能則有進(jìn)一步的提升.

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: ATPAK-3

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 28 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 75 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 73 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 70 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

配置: Single

系列: ATP301

晶體管類型: 1 P-Channel

商標(biāo): ON Semiconductor

下降時間: 190 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 130 ns

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 330 ns

典型接通延遲時間: 32 ns

單位重量: 4 g

CW-232提供：

極低的噴濺

快速潤濕性，甚至可以在銹蝕嚴(yán)重的表面進(jìn)行焊接

殘留物顏色淺

與無鉛和錫鉛合金兼容

與熱風(fēng)整平（HASL）、浸銀、ENIG和OSP表面兼容