AI加速器DRP-AI來增強RZ/G2L產(chǎn)品降低損耗的Hybrid IGBT

發(fā)布時間:2021/7/9 20:40:36 訪問次數(shù):1053

使用Si襯底生產(chǎn)的功率半導體，它們的器件結(jié)構(gòu)不同。IGBT比其他功率半導體的成本更低，但存在需要續(xù)流二極管才能工作（需要雙芯片結(jié)構(gòu)才能工作）、關(guān)斷損耗較大的課題.

與IGBT相比，SJ-MOSFET無需續(xù)流二極管即可工作（單芯片結(jié)構(gòu)即可工作），而且關(guān)斷損耗較小，但存在難以應(yīng)對大功率的問題。作為一項突破，IGBT的續(xù)流二極管采用SiC SBD 而非傳統(tǒng)的Si-FRD，推出了可以降低損耗的Hybrid IGBT。

開通損耗是在元件ON時產(chǎn)生的損耗，關(guān)斷損耗是在元件OFF時產(chǎn)生的損耗。

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): SiC

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: HiP-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 119 A

Rds On-漏源導通電阻: 24 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V

Qg-柵極電荷: 157 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 200 C

Pd-功率耗散: 565 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

晶體管類型: 1 N-Channel

商標: STMicroelectronics

下降時間: 38 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 16 ns

工廠包裝數(shù)量: 600

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 58 ns

典型接通延遲時間: 26 ns

對安全功能的支持意味著客戶也可放心地將RZ/G2L MPU產(chǎn)品群應(yīng)用于需要高可靠性和延長使用壽命的工業(yè)應(yīng)用，從而加快產(chǎn)品上市。

對于可能需要更復雜AI功能的場景，瑞薩計劃通過其專有的AI加速器DRP-AI來增強RZ/G2L產(chǎn)品群的功能與性能。

瑞薩將持續(xù)推出擁有更好引腳兼容性和軟件可復用性的產(chǎn)品，以減輕客戶在將來向其產(chǎn)品線中添加新產(chǎn)品版本時的開發(fā)負擔。

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