超小型的高功率TVS（瞬態(tài)抑制）二極管，進一步擴展了I/O接口的雙向過壓保護元件的產(chǎn)品組合。

新元件采用芯片級封裝，尺寸僅為400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封裝高度也極低，僅為100μm。

新型TVS二極管的設計工作電壓為5V，響應電壓為6.8 V。

在不同的峰值脈沖電流條件下，兩款新元件的端接電壓也不相同：當峰值脈沖電流為8 A時，鉗位電壓為7.2 V.

產(chǎn)品種類: NOR閃存

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

系列: AT45DB321D

存儲容量: 32 Mbit

電源電壓-最小: 2.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

有源讀取電流（最大值）: 15 mA

接口類型: SPI

最大時鐘頻率: 66 MHz

組織: 4 M x 8

數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit

定時類型: Synchronous

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

存儲類型: NOR

速度: 66 MHz

結構: Chip Erase

商標: Adesto Technologies

電源電流—最大值: 15 mA

產(chǎn)品類型: NOR Flash

標準: Not Supported

工廠包裝數(shù)量: 90

子類別: Memory & Data Storage

單位重量: 540 mg

與芯片縮減設計（ chip-down design ）相比，Kria SOM 允許開發(fā)者從設計周期中更為成熟的節(jié)點入手，進而將部署時間縮短多達 9 個月。

新產(chǎn)品采用新一代具有低壓溝槽結構的U-MOSⅩ-H工藝，具有業(yè)內(nèi)領先的[1]低漏源導通電阻。這減少了導通損耗，有助于降低設備的功耗。

此外，它們繼承了現(xiàn)有工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性。