相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現(xiàn)對電機驅(qū)動應(yīng)用的高可控性。

結(jié)合此新型芯片技術(shù)的所有模塊均設(shè)計成與上一代TRENCHSTOP IGBT4模塊引腳向下兼容。這有助于制造商縮短針對全新逆變器平臺的設(shè)計周期。

TRENCHSTOP IGBT7芯片基于新型微溝槽技術(shù)，靜態(tài)損耗較之IGBT4芯片低得多，其導(dǎo)通電壓降低了20%。

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:2.4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:380 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):ON Semiconductor 正向跨導(dǎo) - 最小值:4 S 下降時間:10 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14 ns 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:13 ns 典型接通延遲時間:7 ns 單位重量:29.570 mg

內(nèi)建的 PCIe 3.0 時鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數(shù)量，有助于降低 BOM 成本。

此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業(yè)界獨一無二的產(chǎn)品�？梢允褂萌N參考頻率選項：通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。

切換器中嵌入了多個直接內(nèi)存訪問 (DMA) 通道，盡量提高單一主機 (或多部主機) 與相連的端點之間通訊作業(yè)效率。

先進的電源管理能力，代表這款切換器符合最嚴(yán)格的節(jié)能要求。

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