傳感器還提供無磁滯的輸出信號�！�0.2％的非線性誤差和滿量程的±0.005％的噪聲性能允許在高達8kHz的信號帶寬下進行精確的電流測量。

新封裝不但比競爭產(chǎn)品管腳尺寸更小，而且還節(jié)省了25%的PCB面積。

TDK使用成熟的霍爾傳感器技術(shù)來構(gòu)造CUR4000。通過對非易失性存儲器進行編程，可以根據(jù)磁路調(diào)整諸如溫度相關(guān)增益和失調(diào)之類的主要特性。

完整的霍爾陣列讀數(shù)可達到低于滿量程±0.05％的輸出失調(diào)溫度漂移。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:8位微控制器 -MCU RoHS: 詳細信息 系列:STM8S207S8 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-44 核心:STM8 程序存儲器大小:64 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit ADC分辨率:10 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:34 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 kB 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.4 mm 長度:10 mm 程序存儲器類型:Flash 寬度:10 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 接口類型:I2C, SPI, UART 濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:9 Channel 計時器/計數(shù)器數(shù)量:8 Timer 處理器系列:STM8S20x 產(chǎn)品類型:8-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:2.95 V 單位重量:356.100 mg

D模塊都是驅(qū)動功率MOSFET的PWM信號，開關(guān)周期的占空比由輸入和輸出電壓比決定,無損連續(xù)傳導(dǎo)模式(CCM)等式，因為其結(jié)果足夠接近。

通過使用LTspice，我們可以清楚看到這兩種不同拓撲的輸入和輸出電流之間的差異。

降壓調(diào)節(jié)器的基本開環(huán)設(shè)計，用于將12 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為3.3 V輸出電壓，為電阻負載R1提供1 A (3.3 W)電流。

PWM D模塊通過V2浮動電源實現(xiàn)，因為我們需要VGATE > VSOURCE為N溝道MOSFET M1建立傳導(dǎo)。

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