在PFC升壓二極管D2上并聯(lián)1個(gè)高壓電容CIS成像技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2021/7/16 17:49:52 訪問次數(shù):552
Stack的Rolling Shutter 架構(gòu)800萬像素圖像傳感器產(chǎn)品—— SC850SL，作為思特威首顆Star Light (SL) Series 超星光級系列產(chǎn)品，力求以4K超星光級夜視全彩影像賦能高端智視應(yīng)用市場。
大數(shù)據(jù)時(shí)代下催生的視頻結(jié)構(gòu)化技術(shù)持續(xù)走熱，該技術(shù)旨在通過提高對目標(biāo)物細(xì)節(jié)特征的識別提取能力從而更高效地為后端運(yùn)算獲取圖像關(guān)鍵信息。
因此對CIS的成像清晰度、畫面覆蓋范圍、暗光成像以及色彩呈現(xiàn)力等都提出了較高的性能要求，同時(shí)CIS成像技術(shù)的高速發(fā)展也為AI視頻時(shí)代的到來提供了更為優(yōu)質(zhì)的影像保證。
通過此電路，從而實(shí)現(xiàn)輸入電壓和電流波形的同相位，大大提高對電能的利用效率。
為了改善PFC電路引起的電源EMI（電磁干擾），通常在PFC MOS管的D、S間并聯(lián)1個(gè)高壓電容，容值一般為(47~220）pF,在PFC升壓二極管D2上并聯(lián)1個(gè)高壓電容，一般取值為(47~100) pF。
對普通的MOS管應(yīng)用而言，在開關(guān)機(jī)及正常使用過程中，不會(huì)出現(xiàn)異常。
但是當(dāng)MOS管寄生參數(shù)發(fā)生變化時(shí)，且在快速開關(guān)機(jī)過程中，就會(huì)出現(xiàn)明顯的驅(qū)動(dòng)波形振蕩,嚴(yán)重時(shí)引起MOS管的損壞。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
Stack的Rolling Shutter 架構(gòu)800萬像素圖像傳感器產(chǎn)品—— SC850SL，作為思特威首顆Star Light (SL) Series 超星光級系列產(chǎn)品，力求以4K超星光級夜視全彩影像賦能高端智視應(yīng)用市場。
大數(shù)據(jù)時(shí)代下催生的視頻結(jié)構(gòu)化技術(shù)持續(xù)走熱，該技術(shù)旨在通過提高對目標(biāo)物細(xì)節(jié)特征的識別提取能力從而更高效地為后端運(yùn)算獲取圖像關(guān)鍵信息。
因此對CIS的成像清晰度、畫面覆蓋范圍、暗光成像以及色彩呈現(xiàn)力等都提出了較高的性能要求，同時(shí)CIS成像技術(shù)的高速發(fā)展也為AI視頻時(shí)代的到來提供了更為優(yōu)質(zhì)的影像保證。
通過此電路，從而實(shí)現(xiàn)輸入電壓和電流波形的同相位，大大提高對電能的利用效率。
為了改善PFC電路引起的電源EMI（電磁干擾），通常在PFC MOS管的D、S間并聯(lián)1個(gè)高壓電容，容值一般為(47~220）pF,在PFC升壓二極管D2上并聯(lián)1個(gè)高壓電容，一般取值為(47~100) pF。
對普通的MOS管應(yīng)用而言，在開關(guān)機(jī)及正常使用過程中，不會(huì)出現(xiàn)異常。
但是當(dāng)MOS管寄生參數(shù)發(fā)生變化時(shí)，且在快速開關(guān)機(jī)過程中，就會(huì)出現(xiàn)明顯的驅(qū)動(dòng)波形振蕩,嚴(yán)重時(shí)引起MOS管的損壞。
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