離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開關(guān)總輸出電壓精度1%
發(fā)布時間:2021/7/17 13:20:59 訪問次數(shù):283
NCP51820是高速柵極驅(qū)動器,設(shè)計滿足驅(qū)動增強(qiáng)模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開關(guān)嚴(yán)格要求.
NCP51820提供先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),具有短匹配傳播延遲,高邊驅(qū)動時共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅(qū)動時共模電壓范圍−3.5 V到 +3.5 V.此外器件提供穩(wěn)定的dV/dt工作速率高達(dá)200 V/ns.
NCP51820提供重要的保護(hù)功能如單獨(dú)的欠壓鎖住(UVLO),監(jiān)視VDD偏壓和VDDH和VDDL驅(qū)動偏壓以及基于器件結(jié)溫的熱關(guān)斷.
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:210 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:223 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:540 mW 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:80 mS 下降時間:5.6 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:3 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:7.6 ns 典型接通延遲時間:2.8 ns 單位重量:8 mg
采集模塊包含電流傳感器和分壓電路，電流傳感器可測得流過供電支路的電流值，分壓電路將供電支路的電壓值調(diào)整到主芯片ADC 采樣的范圍內(nèi)，二者均為模擬值。
具有業(yè)界最好的效率,FPWM模式工作,總輸出電壓精度1%,低IQ電流9-μA,工作環(huán)境溫度–40C 到105C.滿足CISPR22和CISPR32 B類發(fā)射要求,不需要外接回路補(bǔ)償元件.主要用在測試和測量設(shè)備,工廠自動化和控制,航空和國防,通用電源.采用SOC8-7封裝.主要用在家用電器,家庭自動化,物聯(lián)網(wǎng)和傳感器,計量和工業(yè)控制以及偏置電源.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
NCP51820是高速柵極驅(qū)動器,設(shè)計滿足驅(qū)動增強(qiáng)模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開關(guān)嚴(yán)格要求.
NCP51820提供先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),具有短匹配傳播延遲,高邊驅(qū)動時共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅(qū)動時共模電壓范圍−3.5 V到 +3.5 V.此外器件提供穩(wěn)定的dV/dt工作速率高達(dá)200 V/ns.
NCP51820提供重要的保護(hù)功能如單獨(dú)的欠壓鎖住(UVLO),監(jiān)視VDD偏壓和VDDH和VDDL驅(qū)動偏壓以及基于器件結(jié)溫的熱關(guān)斷.
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:210 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:223 pC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:540 mW 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:80 mS 下降時間:5.6 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:3 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:7.6 ns 典型接通延遲時間:2.8 ns 單位重量:8 mg
采集模塊包含電流傳感器和分壓電路，電流傳感器可測得流過供電支路的電流值，分壓電路將供電支路的電壓值調(diào)整到主芯片ADC 采樣的范圍內(nèi)，二者均為模擬值。
具有業(yè)界最好的效率,FPWM模式工作,總輸出電壓精度1%,低IQ電流9-μA,工作環(huán)境溫度–40C 到105C.滿足CISPR22和CISPR32 B類發(fā)射要求,不需要外接回路補(bǔ)償元件.主要用在測試和測量設(shè)備,工廠自動化和控制,航空和國防,通用電源.采用SOC8-7封裝.主要用在家用電器,家庭自動化,物聯(lián)網(wǎng)和傳感器,計量和工業(yè)控制以及偏置電源.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
相關(guān)技術(shù)資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應(yīng)用前景簡述
- 7-18最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6標(biāo)JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢特征
- 7-18汽車混合信號微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動器
- 7-17第二代儲能電芯加速替代280Ah電芯應(yīng)用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網(wǎng)和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構(gòu)應(yīng)用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡述
- 7-174-20MA信號調(diào)節(jié)器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
熱門點(diǎn)擊
- NCP1680的PFC電路能夠在300W實(shí)現(xiàn)
- AM2x系列器件具有多達(dá)四個Arm Cort
- IPT-HD power bolt高壓連接器
- 300W電源適配器機(jī)身扁平要300A/120
- ATM2202芯片的模塊OCTEON 10裝
- MAC接口為2ns延遲的RGMII超過300
- HDR和LFM觀察圖像傳感器在60幀/秒速度
- PureCel Plus-S 晶片堆疊技術(shù)實(shí)
- 集成1TB交換機(jī)和向量包處理(VPP)硬件加
- 140dB的高動態(tài)范圍(HDR)汽車圖像傳感
推薦技術(shù)資料
- 基準(zhǔn)電壓的提供
- 開始的時候，想使用LM385作為基準(zhǔn)，HIN202EC... [詳細(xì)]
公網(wǎng)安備44030402000607
