LDMOS晶體管技術(shù)并利用高度集成，針對下一代小基站基礎(chǔ)設(shè)施和大規(guī)模MIMO實施提供了全面的射頻功率放大器器件組合。

高效率數(shù)值（某些型號在9.0dB峰值功率回退時>40%）有助于保持低功耗水平，這意味著它們只產(chǎn)生很少的熱量，從而支持更小、更不明顯的基站。

MOSFET限流模式可通過BYPASS引腳電容數(shù)值來選擇.大電流限制提供最大限度連續(xù)輸出電流而采用非常低成本和小面積表面貼裝電感.

制造商:KEMET產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-螺旋式接線端RoHS: 產(chǎn)品:Low ESR Electrolytic Capacitors電容:6800 uF電壓額定值 DC:250 VDC容差:20 %ESR:20 mOhms最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C直徑:76.6 mm長度:106 mm引線間隔:32 mm壽命:19000 Hour紋波電流:14.7 A系列:封裝:Bulk高度:-端接類型:Screw類型:Long Life Aluminum Electrolytic Capacitor寬度:-商標(biāo):KEMET漏泄電流:9100 uA產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors12子類別:Capacitors測試頻率:100 Hz零件號別名:A351SM682M250A單位重量:585 g

BM2SCQ123T-LBZ是準(zhǔn)諧振AC/DC轉(zhuǎn)換器,為所有產(chǎn)品提供最佳的系統(tǒng).準(zhǔn)諧振操作賦能了軟開關(guān),有助保持EMI低數(shù)值.器件包含了1700 V/4 A SiC(碳化硅)MOSFET,使得設(shè)計變得更容易.

突發(fā)操作降低了輕負(fù)載時的輸入功率.器件還包含了各種保護(hù)功能如軟起動功能,突發(fā)操作,逐個周期的過流限制,過壓保護(hù)功能以及過載保護(hù)功能.

待機(jī)時的低功耗19 μA. VCC電壓為15.0V到27.5V,漏極電壓最大為1700V.正常工作電流為800 μA,突發(fā)工作的電流為500 μA,最大工作頻率為120kHz.

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