在全球“創(chuàng)建無(wú)碳社會(huì)”和“碳中和”等減少環(huán)境負(fù)荷的努力中，電動(dòng)汽車（xEV）得以日益普及。

在設(shè)計(jì)汽車充電器和牽引逆變器時(shí)，將SiC FET用于功率開關(guān)的客戶可以極大地受益于Si828x獨(dú)特的功能組合，包括強(qiáng)健的柵極驅(qū)動(dòng)、強(qiáng)大的去飽和故障響應(yīng)和高效率的米勒鉗位。

Silicon Labs與SiC解決方案的主要提供商Wolfspeed進(jìn)行合作，其柵極驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)通過(guò)了Wolfspeed SiC MOSFET的測(cè)試。

針對(duì)SiCMOSFET進(jìn)行了優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器，可以最大限度地提高SiC在這些應(yīng)用中的使用效果。

開發(fā)板和工具包 - ARM

594

MOSFET

663

晶體

283

模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC

2,767

穩(wěn)壓二極管

7,659

電源管理IC開發(fā)工具

49

三極與 SCR 輸出光電耦合器

887

馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器

1,841

低壓差穩(wěn)壓器

514

RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC SBD。與以往使用Si快速恢復(fù)二極管（Si-FRD）的IGBT產(chǎn)品相比，成功地大幅降低了開通損耗，在車載充電器應(yīng)用中損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67％。

與通常損耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，損耗也可降低24％。

在轉(zhuǎn)換效率方面，新產(chǎn)品可以在更寬的工作頻率范圍確保97％以上的高效率，并且在100kHz的工作頻率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性價(jià)比進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的功耗。

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