兩個冗余SIL 2模塊結(jié)構(gòu)符合SIL 3要求接口所需工作量減少
發(fā)布時間:2021/7/18 22:51:54 訪問次數(shù):461
高功率密度、數(shù)字非隔離點負載(PoL)穩(wěn)壓器BMR474。
垂直安裝的SIP(單列直插式封裝)設(shè)計,BMR474可節(jié)省寶貴的電路板空間,同時能夠提供高達80A輸出電流,最大功率輸出為198W。
BMR474專為電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用而設(shè)計,可提供極好的性價比,并在12V輸入3.3V輸出滿載條件下提供高達95.1%的效率。
其輸入電壓范圍為6V至15V,輸出電壓可在0.6V至3.3V范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié)。
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:5.3 A, 3.9 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:58 mOhms, 120 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V, 3 V Qg-柵極電荷:20 nC, 22 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W, 3.4 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列:SI4 商標:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 零件號別名:SI4559ADY-GE3 單位重量:750 mg
SIL 3應(yīng)用還廣泛用于安全相關(guān)的應(yīng)用中,在這些應(yīng)用中,必須使用模擬信號來控制危險區(qū)的現(xiàn)場設(shè)備。
傳輸控制器和現(xiàn)場設(shè)備之間信號的隔離柵。我們可以在合適的地方放置冗余SIL 2設(shè)備來作為變通方法。與包含兩個冗余SIL 2模塊的結(jié)構(gòu)相比,符合SIL 3要求的接口模塊所需的工作量大大減少。
SIL 3等級的隔離柵甚至在SIL 2應(yīng)用中也有用武之地,例如,當要獲得盡可能長的驗證時間時。
這使用戶可以借助該系列產(chǎn)品組合來實現(xiàn)SIL 3應(yīng)用,無論是使用SIL 3隔離式安全柵,還是使用具有SC3功能的冗余SIL 2模塊。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
高功率密度、數(shù)字非隔離點負載(PoL)穩(wěn)壓器BMR474。
垂直安裝的SIP(單列直插式封裝)設(shè)計,BMR474可節(jié)省寶貴的電路板空間,同時能夠提供高達80A輸出電流,最大功率輸出為198W。
BMR474專為電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用而設(shè)計,可提供極好的性價比,并在12V輸入3.3V輸出滿載條件下提供高達95.1%的效率。
其輸入電壓范圍為6V至15V,輸出電壓可在0.6V至3.3V范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié)。
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:5.3 A, 3.9 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:58 mOhms, 120 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V, 3 V Qg-柵極電荷:20 nC, 22 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W, 3.4 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列:SI4 商標:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 零件號別名:SI4559ADY-GE3 單位重量:750 mg
SIL 3應(yīng)用還廣泛用于安全相關(guān)的應(yīng)用中,在這些應(yīng)用中,必須使用模擬信號來控制危險區(qū)的現(xiàn)場設(shè)備。
傳輸控制器和現(xiàn)場設(shè)備之間信號的隔離柵。我們可以在合適的地方放置冗余SIL 2設(shè)備來作為變通方法。與包含兩個冗余SIL 2模塊的結(jié)構(gòu)相比,符合SIL 3要求的接口模塊所需的工作量大大減少。
SIL 3等級的隔離柵甚至在SIL 2應(yīng)用中也有用武之地,例如,當要獲得盡可能長的驗證時間時。
這使用戶可以借助該系列產(chǎn)品組合來實現(xiàn)SIL 3應(yīng)用,無論是使用SIL 3隔離式安全柵,還是使用具有SC3功能的冗余SIL 2模塊。
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