在服務器系統(tǒng)等領域，由于IoT設備的需求日益增長，功率轉換效率的提升和設備的小型化已經成為重要的社會課題之一，而這就要求功率元器件的進一步發(fā)展與進步。

ROHM一直在大力推動業(yè)內先進的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。

ROHM就現有GaN器件長期存在的課題開發(fā)出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術，能夠為各種應用提供更廣泛的電源解決方案。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅動器

RoHS: 詳細信息

產品: Fan / Motor Controllers / Drivers

類型: Half Bridge

工作電源電壓: 4.5 V to 33 V

輸出電流: 2.5 A

工作電源電流: 5 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: VQFN-24

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

輸出端數量: 4 Output

工作頻率: 360 kHz

系列: DRV8935

商標: Texas Instruments

負載電壓額定值: 4.5 V to 33 V

開發(fā)套件: DRV8935PEVM

濕度敏感性: Yes

產品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工廠包裝數量: 3000

子類別: PMIC - Power Management ICs

高達90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產生，并在一個僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工業(yè)標準半磚封裝內實現20W/in3的出色功率密度。

與硅器件相比，GaN器件具有更低的導通電阻值和更優(yōu)異的高速開關性能，因而在基站和數據中心等領域作為有助于降低各種開關電源的功耗并實現小型化的器件被寄予厚望。

GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開關工作期間可能會發(fā)生超過額定值的過沖電壓，所以在產品可靠性方面一直存在很大的問題。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）