有級聯(lián)兩級低噪音放大器(LNA)和功率硅單刀雙擲(SPDT)開關(guān)
發(fā)布時間:2021/7/24 7:52:03 訪問次數(shù):733
ADRF5519是雙路2.3-2.8GHz 20W接收器前端,集成了RF前端多片模塊,設(shè)計用于工作頻率2.3GHz-2.8GHz的時分復(fù)接(TDD)應(yīng)用.
ADRF5519可配置成兩路,有級聯(lián)兩級低噪音放大器(LNA)和功率硅單刀雙擲(SPDT)開關(guān).
高增益模式,級聯(lián)兩級LNA和開關(guān)提供2.6GHz時的低噪音(NF)0.1dB和高增益35dB,輸出三階截斷點(diǎn)(OIP3)32dB(典型值).
低增益模式,兩級LNA的一個級旁路,提供較低電流36mA時的14dB增益.
產(chǎn)品種類: 存儲卡
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: SDSDQAF3
產(chǎn)品: MicroSD Cards
配置: MLC
存儲容量: 32 GB
連續(xù)寫入: 50 MB/s
連續(xù)讀取: 80 MB/s
接口類型: UHS-I (SDR104)
工作電源電壓: 2.7 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 25 C
最大工作溫度: + 85 C
性能: Speed Class 10 U1
商標(biāo): SanDisk
NAND閃存技術(shù): MLC
產(chǎn)品類型: Memory Cards
工廠包裝數(shù)量: 120
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 400 mg
使用數(shù)據(jù)驅(qū)動的監(jiān)督和非監(jiān)督的ML模型開發(fā),縮短了開發(fā)時間,并快速構(gòu)建了創(chuàng)新智能物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品概念原型.
能夠在沒有深入數(shù)據(jù)科學(xué)經(jīng)驗(yàn)或?qū)I(yè)知識情況下,利用SensiML的自動建模引擎向產(chǎn)品添加AI/ML功能.
差異化的智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備更快地推向市場,消除了對云和智能手機(jī)AI處理的依賴,以提供傳感器洞察
來自端到端工作流的AI建?尚哦,包括強(qiáng)大的數(shù)據(jù)集注釋、自動數(shù)據(jù)標(biāo)記、完整的模型透明度,以及調(diào)整或修改代碼的所有方面的靈活性.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
ADRF5519是雙路2.3-2.8GHz 20W接收器前端,集成了RF前端多片模塊,設(shè)計用于工作頻率2.3GHz-2.8GHz的時分復(fù)接(TDD)應(yīng)用.
ADRF5519可配置成兩路,有級聯(lián)兩級低噪音放大器(LNA)和功率硅單刀雙擲(SPDT)開關(guān).
高增益模式,級聯(lián)兩級LNA和開關(guān)提供2.6GHz時的低噪音(NF)0.1dB和高增益35dB,輸出三階截斷點(diǎn)(OIP3)32dB(典型值).
低增益模式,兩級LNA的一個級旁路,提供較低電流36mA時的14dB增益.
產(chǎn)品種類: 存儲卡
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: SDSDQAF3
產(chǎn)品: MicroSD Cards
配置: MLC
存儲容量: 32 GB
連續(xù)寫入: 50 MB/s
連續(xù)讀取: 80 MB/s
接口類型: UHS-I (SDR104)
工作電源電壓: 2.7 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 25 C
最大工作溫度: + 85 C
性能: Speed Class 10 U1
商標(biāo): SanDisk
NAND閃存技術(shù): MLC
產(chǎn)品類型: Memory Cards
工廠包裝數(shù)量: 120
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 400 mg
使用數(shù)據(jù)驅(qū)動的監(jiān)督和非監(jiān)督的ML模型開發(fā),縮短了開發(fā)時間,并快速構(gòu)建了創(chuàng)新智能物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品概念原型.
能夠在沒有深入數(shù)據(jù)科學(xué)經(jīng)驗(yàn)或?qū)I(yè)知識情況下,利用SensiML的自動建模引擎向產(chǎn)品添加AI/ML功能.
差異化的智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備更快地推向市場,消除了對云和智能手機(jī)AI處理的依賴,以提供傳感器洞察
來自端到端工作流的AI建?尚哦,包括強(qiáng)大的數(shù)據(jù)集注釋、自動數(shù)據(jù)標(biāo)記、完整的模型透明度,以及調(diào)整或修改代碼的所有方面的靈活性.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點(diǎn)擊
- 單相和三相無刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動器ASIC芯片生成
- 有級聯(lián)兩級低噪音放大器(LNA)和功率硅單刀
- 1dB壓縮點(diǎn)的對應(yīng)輸出功率超過12dBm射頻
- BYPASS引腳電容數(shù)值降低了輕負(fù)載時的輸入
- PFC預(yù)調(diào)節(jié)交替兩路連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)功
- 輸出電壓通過板載0至+5VDC參考輸入0至1
- PTX100R NFC控制器使用Si襯底生產(chǎn)
- +5V直流電源UWB技術(shù)工業(yè)連接和超精確室內(nèi)
- LEMO的定位銷系統(tǒng)可在防止錯誤插接實(shí)現(xiàn)更高
- 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)ADC的輸入驅(qū)動器也會影響整體精