Integra 100V射頻氮化鎵技術(shù)將徹底重新定義高功率射頻系統(tǒng)的可能性
發(fā)布時(shí)間:2021/7/25 22:32:39 訪問(wèn)次數(shù):457
高容量3D傳感應(yīng)用提供新技術(shù)將向選定的3D傳感開(kāi)發(fā)人員發(fā)布其最新的Invertible Light™ Technology (ILT)開(kāi)發(fā)套件。
開(kāi)發(fā)人員將擁有一種用于對(duì)象檢測(cè)、引導(dǎo)和手勢(shì)識(shí)別的卓越的新工具,它具有高速度、低延遲和近距離范圍內(nèi)出色的表面可見(jiàn)性等特點(diǎn)。
它支持符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的中間件,包括:OpenCV、PCL、Open3D、ROS和Unity,以及C++和Python,用戶可使用這些中間件毫不費(fèi)力地快速地構(gòu)建自己想要的3D傳感系統(tǒng)。
制造商:Diodes Incorporated產(chǎn)品種類(lèi):ESD 抑制器/TVS 二極管產(chǎn)品類(lèi)型:TVS Diodes極性:Unidirectional工作電壓:90 V端接類(lèi)型:SMD/SMT封裝 / 箱體:DO-214AA-2擊穿電壓:115.5 V鉗位電壓:146 V最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C系列:商標(biāo):Diodes Incorporated子類(lèi)別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes單位重量:93 mg
Integra的100V射頻氮化鎵技術(shù)的問(wèn)世是高功率市場(chǎng)的一個(gè)重要里程碑。此項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)可以消除目前限制系統(tǒng)性能的障礙,并支持采用以前無(wú)法實(shí)現(xiàn)的新架構(gòu)。
客戶最終可以受益于更小的系統(tǒng)占用空間和更低的系統(tǒng)成本。
這種顛覆性技術(shù)將使我們的客戶能夠提供新一代高性能、多千瓦射頻功率解決方案,同時(shí)減少他們的設(shè)計(jì)周期時(shí)間和降低產(chǎn)品成本。
Integra 100V射頻氮化鎵技術(shù)將徹底重新定義高功率射頻系統(tǒng)的可能性。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
高容量3D傳感應(yīng)用提供新技術(shù)將向選定的3D傳感開(kāi)發(fā)人員發(fā)布其最新的Invertible Light™ Technology (ILT)開(kāi)發(fā)套件。
開(kāi)發(fā)人員將擁有一種用于對(duì)象檢測(cè)、引導(dǎo)和手勢(shì)識(shí)別的卓越的新工具,它具有高速度、低延遲和近距離范圍內(nèi)出色的表面可見(jiàn)性等特點(diǎn)。
它支持符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的中間件,包括:OpenCV、PCL、Open3D、ROS和Unity,以及C++和Python,用戶可使用這些中間件毫不費(fèi)力地快速地構(gòu)建自己想要的3D傳感系統(tǒng)。
制造商:Diodes Incorporated產(chǎn)品種類(lèi):ESD 抑制器/TVS 二極管產(chǎn)品類(lèi)型:TVS Diodes極性:Unidirectional工作電壓:90 V端接類(lèi)型:SMD/SMT封裝 / 箱體:DO-214AA-2擊穿電壓:115.5 V鉗位電壓:146 V最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C系列:商標(biāo):Diodes Incorporated子類(lèi)別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes單位重量:93 mg
Integra的100V射頻氮化鎵技術(shù)的問(wèn)世是高功率市場(chǎng)的一個(gè)重要里程碑。此項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)可以消除目前限制系統(tǒng)性能的障礙,并支持采用以前無(wú)法實(shí)現(xiàn)的新架構(gòu)。
客戶最終可以受益于更小的系統(tǒng)占用空間和更低的系統(tǒng)成本。
這種顛覆性技術(shù)將使我們的客戶能夠提供新一代高性能、多千瓦射頻功率解決方案,同時(shí)減少他們的設(shè)計(jì)周期時(shí)間和降低產(chǎn)品成本。
Integra 100V射頻氮化鎵技術(shù)將徹底重新定義高功率射頻系統(tǒng)的可能性。

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