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QMLV生產(chǎn)水平測試與光學(xué)發(fā)射光譜測量技術(shù)相比具有明顯優(yōu)勢

發(fā)布時間:2021/7/25 23:01:06 訪問次數(shù):426

新的瑞薩電子抗輻射塑料 IC 可幫助客戶在不影響性能的情況下減少電子產(chǎn)品的占用空間和成本。

為確保塑料 IC 在惡劣的空間環(huán)境中保持最高質(zhì)量,新器件具有類似 QMLV 的生產(chǎn)水平測試,并且所有器件都將接受輻射批次驗收測試 (RLAT)。

生產(chǎn)測試流程包括 100% CSAM、X 射線、溫度循環(huán)、靜態(tài)和動態(tài)老化以及目視檢查,并符合 SAE AS6294/1 空間塑料封裝微電子標(biāo)準(zhǔn)。額外的篩選包括針對 HAST、壽命測試和濕度敏感度的每個組件和晶圓批次產(chǎn)品的批次保證測試。


制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: 高速光耦合器

RoHS: 詳細信息

封裝 / 箱體: PDIP-8

數(shù)據(jù)速率: 1 Mb/s

通道數(shù)量: 1 Channel

輸出類型: Phototransistor

絕緣電壓: 5300 Vrms

Vf - 正向電壓: 1.33 V

If - 正向電流: 16 mA

Vr - 反向電壓 : 5 V

Pd-功率耗散: 100 mW

電流傳遞比: 35 %

最小工作溫度: 0 C

最大工作溫度: + 70 C

封裝: Tube

高度: 3.81 mm

長度: 9.91 mm

輸出電流: 8 mA

寬度: 6.81 mm

商標(biāo): Vishay Semiconductors

下降時間: 5 ns

最大集電極電流: 8 mA

產(chǎn)品類型: High Speed Optocouplers

上升時間: 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 2000

子類別: Optocouplers

單位重量: 1.591 g

由于Aston能夠自主產(chǎn)生等離子體,無論是否存在過程等離子體,均可正常運行。

這與光學(xué)發(fā)射光譜測量技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)勢,后者需要等離子體源方可操作,這使Aston成為ALD和某些金屬沉積工藝的理想選擇,這些工藝可能會需要使用較弱的、脈沖等離子體,或無需等離子體進行處理。

Aston還能夠通過提供量化、可操作的實時數(shù)據(jù)來提高過程一致性,并可通過人工智能推進高性能機器學(xué)習(xí),滿足最苛刻的過程應(yīng)用。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

新的瑞薩電子抗輻射塑料 IC 可幫助客戶在不影響性能的情況下減少電子產(chǎn)品的占用空間和成本。

為確保塑料 IC 在惡劣的空間環(huán)境中保持最高質(zhì)量,新器件具有類似 QMLV 的生產(chǎn)水平測試,并且所有器件都將接受輻射批次驗收測試 (RLAT)。

生產(chǎn)測試流程包括 100% CSAM、X 射線、溫度循環(huán)、靜態(tài)和動態(tài)老化以及目視檢查,并符合 SAE AS6294/1 空間塑料封裝微電子標(biāo)準(zhǔn)。額外的篩選包括針對 HAST、壽命測試和濕度敏感度的每個組件和晶圓批次產(chǎn)品的批次保證測試。


制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: 高速光耦合器

RoHS: 詳細信息

封裝 / 箱體: PDIP-8

數(shù)據(jù)速率: 1 Mb/s

通道數(shù)量: 1 Channel

輸出類型: Phototransistor

絕緣電壓: 5300 Vrms

Vf - 正向電壓: 1.33 V

If - 正向電流: 16 mA

Vr - 反向電壓 : 5 V

Pd-功率耗散: 100 mW

電流傳遞比: 35 %

最小工作溫度: 0 C

最大工作溫度: + 70 C

封裝: Tube

高度: 3.81 mm

長度: 9.91 mm

輸出電流: 8 mA

寬度: 6.81 mm

商標(biāo): Vishay Semiconductors

下降時間: 5 ns

最大集電極電流: 8 mA

產(chǎn)品類型: High Speed Optocouplers

上升時間: 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 2000

子類別: Optocouplers

單位重量: 1.591 g

由于Aston能夠自主產(chǎn)生等離子體,無論是否存在過程等離子體,均可正常運行。

這與光學(xué)發(fā)射光譜測量技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)勢,后者需要等離子體源方可操作,這使Aston成為ALD和某些金屬沉積工藝的理想選擇,這些工藝可能會需要使用較弱的、脈沖等離子體,或無需等離子體進行處理。

Aston還能夠通過提供量化、可操作的實時數(shù)據(jù)來提高過程一致性,并可通過人工智能推進高性能機器學(xué)習(xí),滿足最苛刻的過程應(yīng)用。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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