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1.62V至5.5V的整個電源電壓開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品

發(fā)布時間:2021/7/28 7:09:52 訪問次數(shù):125

HDC3020和HDC3020-Q1在極端條件下的漂移比同類器件更低,每年相對濕度精度漂移小于0.21%,溫度和濕度應(yīng)力引起的相對濕度漂移小于5%(在高達(dá)85%相對濕度和85°C條件下測試得出)。

當(dāng)暴露于應(yīng)力或污染物環(huán)境時,傳感器還提供第二道防線:使用集成的漂移校正技術(shù),該技術(shù)甚至可以消除傳感器初始階段的微小精度漂移。

在1.62V至5.5V的整個電源電壓范圍內(nèi)和±1.5%相對濕度的超寬溫度和濕度范圍內(nèi),HDC3020和HDC3020-Q1均可提供更高精度(已通過美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的程序進(jìn)行驗證)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: 馬達(dá)/運動/點火控制器和驅(qū)動器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: MDIP-24

封裝: Tube

高度: 5.1 mm

長度: 36 mm

系列: CIPOS Mini

寬度: 21 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工廠包裝數(shù)量: 280

子類別: PMIC - Power Management ICs

商標(biāo)名: CIPOS

零件號別名: IKCM15L60GD SP001370928

單位重量: 6.750 g

ROHM面向要求更高耐壓的工業(yè)設(shè)備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品,以擴(kuò)大本系列產(chǎn)品的陣容,通過降低各種應(yīng)用的功耗和實現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護(hù)等社會問題。

具備只有雙極MOSFET才有的特點,有助于實現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計周期,通過在一個封裝中內(nèi)置兩枚器件,有助于設(shè)備的小型化和減少器件選型的時間。

在小型化方面,如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET(SOP8)替換成新產(chǎn)品(TSMT8),安裝面積可減少75%。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

HDC3020和HDC3020-Q1在極端條件下的漂移比同類器件更低,每年相對濕度精度漂移小于0.21%,溫度和濕度應(yīng)力引起的相對濕度漂移小于5%(在高達(dá)85%相對濕度和85°C條件下測試得出)。

當(dāng)暴露于應(yīng)力或污染物環(huán)境時,傳感器還提供第二道防線:使用集成的漂移校正技術(shù),該技術(shù)甚至可以消除傳感器初始階段的微小精度漂移。

在1.62V至5.5V的整個電源電壓范圍內(nèi)和±1.5%相對濕度的超寬溫度和濕度范圍內(nèi),HDC3020和HDC3020-Q1均可提供更高精度(已通過美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的程序進(jìn)行驗證)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: 馬達(dá)/運動/點火控制器和驅(qū)動器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: MDIP-24

封裝: Tube

高度: 5.1 mm

長度: 36 mm

系列: CIPOS Mini

寬度: 21 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工廠包裝數(shù)量: 280

子類別: PMIC - Power Management ICs

商標(biāo)名: CIPOS

零件號別名: IKCM15L60GD SP001370928

單位重量: 6.750 g

ROHM面向要求更高耐壓的工業(yè)設(shè)備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品,以擴(kuò)大本系列產(chǎn)品的陣容,通過降低各種應(yīng)用的功耗和實現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護(hù)等社會問題。

具備只有雙極MOSFET才有的特點,有助于實現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計周期,通過在一個封裝中內(nèi)置兩枚器件,有助于設(shè)備的小型化和減少器件選型的時間。

在小型化方面,如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET(SOP8)替換成新產(chǎn)品(TSMT8),安裝面積可減少75%。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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