在+200 °C高溫下工作，采用小型C外形編碼的新系列HI-TMP®表面貼裝液鉭電容器---T24系列。

該系列電容器尺寸和占位面積小于同類插件和模壓高溫器件，更有效地利用基板空間，提高石油勘探以及國防和航空航天雷達應用的可靠性。

日前發(fā)布電容器外形尺寸為9 mm x 7.1 mm x 7.4 mm,采用鉭金屬外殼與玻璃-鉭密封。

器件工作溫度為-55 °C至+85 °C，電壓降額工作溫度可達+200 °C，120 Hz和 +85 °C條件下最大ESR僅為2.5 Ω。電容符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素。

制造商: Infineon

產品種類: IGBT 晶體管

RoHS: 詳細信息

技術: Si

封裝 / 箱體: TO-220-3

安裝風格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.5 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 26 A

Pd-功率耗散: 110 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP IGBT

封裝: Tube

高度: 15.95 mm

長度: 10.36 mm

寬度: 4.57 mm

商標: Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流: 100 nA

產品類型: IGBT Transistors

工廠包裝數量: 500

子類別: IGBTs

商標名: TRENCHSTOP

零件號別名: SP000683064 IKP15N6TXK IKP15N60TXKSA1

單位重量: 6 g

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