Edge X支持超過15種傳感設(shè)備協(xié)議—包括常見的 OPC-UA/Modbus/REST——并且已經(jīng)在 20 多種異構(gòu)設(shè)備上進(jìn)行了測試。

智能系統(tǒng)還提供開放設(shè)備SDK，使用專有協(xié)議來簡化設(shè)備集成，同時(shí)支持邊緣數(shù)據(jù)預(yù)處理和分析，搭載預(yù)配置工具，可快速連接到Ali/AWS/Azure 云應(yīng)用。 

解決方案具有軟/硬件集成功能以及微服務(wù)架構(gòu)，將開發(fā)時(shí)間縮短多達(dá) 60% ，從而提升了導(dǎo)入系統(tǒng)應(yīng)用程序的效率和靈活性。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V

Qg-柵極電荷: 131 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 15 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 7 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns

典型接通延遲時(shí)間: 12 ns

零件號(hào)別名: IPC100N04S5-1R2 SP001262620

單位重量: 113.570 mg

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V

Qg-柵極電荷: 131 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 15 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 7 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns

典型接通延遲時(shí)間: 12 ns

零件號(hào)別名: IPC100N04S5-1R2 SP001262620

單位重量: 113.570 mg

本系統(tǒng)外形緊湊，性能強(qiáng)大（尺寸：156 x 112 x 60 mm）, 支持多種 I/O 端口，例如 2x GbE、2x COM、6x USB、8/16 GB DDR4 內(nèi)存和 64 GB SATA超薄SSD.

在寬溫工作（-10 ~ 50 °C）范圍下具備出色的擴(kuò)展能力和計(jì)算/圖形性能,EI-52 還與研華WISE-DeviceOn 集成，支持遠(yuǎn)程設(shè)備監(jiān)控/管理和可視化用戶界面。 

結(jié)合即插即用型設(shè)計(jì)， IT 操作員利用這些功能可遠(yuǎn)程實(shí)時(shí)監(jiān)控和管理 EI-52，從而縮短各種應(yīng)用程序的部署時(shí)間。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）