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AIMB-229搭載功能強(qiáng)大嵌入式Radeon™ GPU將圖形處理能力提高40%

發(fā)布時間:2021/7/29 8:43:39 訪問次數(shù):207

AIMB-229首款搭載 AMD Ryzen™嵌入式 V2000 系列處理器的超薄 Mini-ITX 主板,外型緊湊(20 mm  I/O 高度),支持獨(dú)立四顯,采用嵌入式 AMD Radeon™ GPU,具有圖像運(yùn)算出色性能。

AIMB-229 通過 2 x HDMI 支持 獨(dú)立四顯,分辨率高達(dá) 4K60 UHD,通過 USB-C 支持 2 x DP++。

該產(chǎn)品將出色的計算性能與絕佳的 I/O 支持以及 WISE-DeviceOn 軟件相結(jié)合,從而為需要快速圖像處理和沉浸式 3D 體驗的醫(yī)療康復(fù)、游戲和數(shù)字標(biāo)牌應(yīng)用提供了理想的解決方案。

AIMB-229 搭載功能強(qiáng)大的嵌入式Radeon™ GPU,將圖形處理能力提高了 40%。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V

Qg-柵極電荷: 140 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 22 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 6 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 47 ns

典型接通延遲時間: 7 ns

零件號別名: IPC100N04S5L-1R1 SP001262626

單位重量: 113.570 mg

EI-52采用邊緣到云端的集成架構(gòu),縮短了開發(fā)時間。 使用 EI-52 上預(yù)先安裝的 Edge X,開發(fā)人員無需深入研究不同的數(shù)據(jù)格式和設(shè)備 API,即可將邊緣數(shù)據(jù)連接到云服務(wù)。

EI-52兼容各種可選擴(kuò)展方案,支持 5G、AI和AIoT 應(yīng)用程序。 首先,EI-52 可以支持帶有可選散熱套件的 AIW-355 5G 模塊。

解決方案還可以使用帶有 Wi-Fi 802.11ac/a/b/g/n 和藍(lán)牙 5.0 的 EWM-W189H02E Wi-Fi 模塊來支持額外的無線功能。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

AIMB-229首款搭載 AMD Ryzen™嵌入式 V2000 系列處理器的超薄 Mini-ITX 主板,外型緊湊(20 mm  I/O 高度),支持獨(dú)立四顯,采用嵌入式 AMD Radeon™ GPU,具有圖像運(yùn)算出色性能。

AIMB-229 通過 2 x HDMI 支持 獨(dú)立四顯,分辨率高達(dá) 4K60 UHD,通過 USB-C 支持 2 x DP++。

該產(chǎn)品將出色的計算性能與絕佳的 I/O 支持以及 WISE-DeviceOn 軟件相結(jié)合,從而為需要快速圖像處理和沉浸式 3D 體驗的醫(yī)療康復(fù)、游戲和數(shù)字標(biāo)牌應(yīng)用提供了理想的解決方案。

AIMB-229 搭載功能強(qiáng)大的嵌入式Radeon™ GPU,將圖形處理能力提高了 40%。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V

Qg-柵極電荷: 140 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 22 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 6 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 47 ns

典型接通延遲時間: 7 ns

零件號別名: IPC100N04S5L-1R1 SP001262626

單位重量: 113.570 mg

EI-52采用邊緣到云端的集成架構(gòu),縮短了開發(fā)時間。 使用 EI-52 上預(yù)先安裝的 Edge X,開發(fā)人員無需深入研究不同的數(shù)據(jù)格式和設(shè)備 API,即可將邊緣數(shù)據(jù)連接到云服務(wù)。

EI-52兼容各種可選擴(kuò)展方案,支持 5G、AI和AIoT 應(yīng)用程序。 首先,EI-52 可以支持帶有可選散熱套件的 AIW-355 5G 模塊。

解決方案還可以使用帶有 Wi-Fi 802.11ac/a/b/g/n 和藍(lán)牙 5.0 的 EWM-W189H02E Wi-Fi 模塊來支持額外的無線功能。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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