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16個(gè)線程和4.2GHz睿頻技術(shù)高速集成附加卡和各種外圍設(shè)備

發(fā)布時(shí)間:2021/7/29 8:45:19 訪問次數(shù):174

EI-52不僅功耗低,還具有額外的 AI 推理計(jì)算能力,EI-52 支持研華的 FaceView 人臉識(shí)別 I.App——提供面向家庭辦公室和智能樓宇的非接觸式訪問控制應(yīng)用,以及自助服務(wù)亭的 VIP 管理。

AIMB-229 搭載 AMD Ryzen™嵌入式 V2000 處理器,具有集成 Radeon™ 顯卡和八核嵌入式SoC、多達(dá) 16 個(gè)線程和 4.2 GHz 睿頻技術(shù),相比上代產(chǎn)品的性能提高了 140% (V2748) 。

AIMB-229 利用 AMD Zen 2 x86 內(nèi)核架構(gòu)和創(chuàng)新的7nm 工藝技術(shù),能耗轉(zhuǎn)換效率提高一倍,TDP 范圍介于 10 至 54W 之間,從而為邊緣計(jì)算有效算力支持。


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 90 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 32.6 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

系列: N Channel

晶體管類型: 1 N-Channel

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 2 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 8 ns

典型接通延遲時(shí)間: 5 ns

零件號(hào)別名: IPC90N04S5-3R6 SP001418114

單位重量: 111.450 mg



通過PASSMARK PerformanceTest V10 的數(shù)據(jù),其卓越的 CPU 性能,相比 87% 的同類型解決方案,更勝一籌。

有效提升并加速了醫(yī)學(xué)成像和機(jī)器視覺相關(guān)設(shè)備的圖像處理和分析的性能。

AIMB-229 支持 6 x USB 3.2 和 1 x PCIe x8 ,便于高速集成附加卡和各種外圍設(shè)備,包括高速攝像機(jī)、VR 眼鏡和其他物體捕捉解決方案。

產(chǎn)品將先進(jìn)的適應(yīng)性和創(chuàng)新功能相結(jié)合,是一款高適應(yīng)性,快速響應(yīng)的解決方案。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


EI-52不僅功耗低,還具有額外的 AI 推理計(jì)算能力,EI-52 支持研華的 FaceView 人臉識(shí)別 I.App——提供面向家庭辦公室和智能樓宇的非接觸式訪問控制應(yīng)用,以及自助服務(wù)亭的 VIP 管理。

AIMB-229 搭載 AMD Ryzen™嵌入式 V2000 處理器,具有集成 Radeon™ 顯卡和八核嵌入式SoC、多達(dá) 16 個(gè)線程和 4.2 GHz 睿頻技術(shù),相比上代產(chǎn)品的性能提高了 140% (V2748) 。

AIMB-229 利用 AMD Zen 2 x86 內(nèi)核架構(gòu)和創(chuàng)新的7nm 工藝技術(shù),能耗轉(zhuǎn)換效率提高一倍,TDP 范圍介于 10 至 54W 之間,從而為邊緣計(jì)算有效算力支持。


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 90 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 32.6 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

系列: N Channel

晶體管類型: 1 N-Channel

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 2 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 8 ns

典型接通延遲時(shí)間: 5 ns

零件號(hào)別名: IPC90N04S5-3R6 SP001418114

單位重量: 111.450 mg



通過PASSMARK PerformanceTest V10 的數(shù)據(jù),其卓越的 CPU 性能,相比 87% 的同類型解決方案,更勝一籌。

有效提升并加速了醫(yī)學(xué)成像和機(jī)器視覺相關(guān)設(shè)備的圖像處理和分析的性能。

AIMB-229 支持 6 x USB 3.2 和 1 x PCIe x8 ,便于高速集成附加卡和各種外圍設(shè)備,包括高速攝像機(jī)、VR 眼鏡和其他物體捕捉解決方案。

產(chǎn)品將先進(jìn)的適應(yīng)性和創(chuàng)新功能相結(jié)合,是一款高適應(yīng)性,快速響應(yīng)的解決方案。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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