R-Car片上系統(tǒng)（SoC）增添全新產(chǎn)品系列——R-Car Gen3e。新型SoC產(chǎn)品家族擁有六款新產(chǎn)品，為集成駕駛艙域控制器、車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）、數(shù)字儀表盤、駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)和LED矩陣燈等需要高質(zhì)量圖形渲染的入門到中端車載應(yīng)用打造可擴(kuò)展陣容。

隨著增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)導(dǎo)航系統(tǒng)和基于AI的數(shù)字汽車助手等應(yīng)用日益普及，整車廠和一級供應(yīng)商需要在對更大、更高分辨率顯示器和高性能芯片飛速增長的需求，與不斷飆升的BOM成本及更長的開發(fā)時(shí)間之間取得平衡。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 20 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 31 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 57 S, 29 S

下降時(shí)間: 6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 11 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 23 ns

典型接通延遲時(shí)間: 14 ns

零件號(hào)別名: IPB2N15N3GXT SP000414740 IPB200N15N3GATMA1

單位重量: 4 g

“GYE系列”（125℃ 4000小時(shí)保證）、“GYE系列”（150℃ 1000小時(shí)保證）等導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器，并且向車載、工業(yè)設(shè)備和通信領(lǐng)域等要求高可靠性的市場提出了解決方案。

這次推出的“GYE系列”的容量相比“GYE系列”高一個(gè)級別，尺寸相同卻實(shí)現(xiàn)了大容量，由于電容器數(shù)量減少，有望使設(shè)備變得更輕更小，這將有助于進(jìn)一步提升電路設(shè)計(jì)的性能。

保持了“GYE系列”現(xiàn)有產(chǎn)品的高可控性特長，保證了125℃4000小時(shí)的耐高溫和長壽命，在耐濕性方面也保證了85℃ 85%RH.2000小時(shí)。

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