R-Car Gen3系列SoC產(chǎn)品線導(dǎo)電性高分子和電解液

發(fā)布時間:2021/7/29 13:02:22 訪問次數(shù):817

導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器在電解質(zhì)中采用了導(dǎo)電性高分子和電解液，從而同時具備了導(dǎo)電性高分子特長的低ESR性能和高耐熱性能，以及用電解液修復(fù)氧化皮膜的性能，鋁電解電容器和導(dǎo)電性高分子鋁固體電解電容器的兩種特長。

“GYE系列”通過采用大容量陽極箔和優(yōu)化電解質(zhì)材料，相比“GYE系列”實現(xiàn)了高一個級別的大容量,額定紋波電流值最高可達(dá)到現(xiàn)有產(chǎn)品的1.25倍。

英特爾8代 Board Element主板/Compute Element主機的Newton NE 與 Plato NE 機箱。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TO-263-7

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 190 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

晶體管類型: 1 P-Channel

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 81 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 31 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 72 ns

典型接通延遲時間: 48 ns

零件號別名: IPB180P04P4-03 SP002325764

單位重量: 1.600 g

新產(chǎn)品擴展了廣受好評的R-Car Gen3系列SoC產(chǎn)品線，CPU性能提升至50k DMIPS和2GHz的速度，助力汽車制造商滿足不斷提升的用戶體驗、網(wǎng)絡(luò)安全與功能安全等需求。

R-Car Gen3e產(chǎn)品的“成功產(chǎn)品組合”解決方案，以縮短開發(fā)時間并降低材料清單（BOM）成本�？蛻艨梢詫-Car Gen3e產(chǎn)品與瑞薩的高精度時鐘IC、電源管理產(chǎn)品相結(jié)合。

全新R-Car Gen3e和參考解決方案構(gòu)建了無縫且經(jīng)濟高效的遷移路徑，與現(xiàn)有的R-Car Gen3 SoC完全兼容并易于集成，使客戶能夠更便捷地將其汽車級應(yīng)用推向市場。

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