100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術(shù)的三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)測(cè)量
發(fā)布時(shí)間:2021/7/29 13:14:40 訪問(wèn)次數(shù):389
Raspberry Pi主機(jī),以高達(dá)120 FPS的速度進(jìn)行快速3D傳感,從而能夠?qū)焖僖苿?dòng)的物體進(jìn)行高精度、低延遲的三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)測(cè)量。在其他特定主機(jī)上亦可實(shí)現(xiàn)并支持更高的速度(即>600fps)。
DK-ILT001外形小巧輕便[44(寬)×24(深)×16(高)mm,重16g],支持開發(fā)緊湊型3D傳感系統(tǒng)。該系統(tǒng)可輕松附著于包括移動(dòng)物體在內(nèi)的許多設(shè)備上,并由價(jià)格不貴的Raspberry Pi設(shè)備進(jìn)行托管。
DK-ILT001隨附一個(gè)面向OpenCV、PCL、ROS和Unity,以及C++和Python的軟件API。這簡(jiǎn)化了對(duì)具有更高水平3D性能的新應(yīng)用的評(píng)估和開發(fā)。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 180 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 800 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 286 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
系列: XPB180N04
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 58 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 24 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 67 ns
典型接通延遲時(shí)間: 53 ns
零件號(hào)別名: IPB180N04S4-00 SP000646176
單位重量: 1.600 g
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術(shù),此技術(shù)適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,包括雷達(dá)、航空電子、電子戰(zhàn)、工業(yè)、科研和醫(yī)療系統(tǒng)。
在100V工作時(shí),此項(xiàng)技術(shù)通過(guò)單個(gè)氮化鎵晶體管即可實(shí)現(xiàn)3.6千瓦(kW)的輸出功率,打破了射頻功率的性能屏障。與更常見的50V/65V氮化鎵技術(shù)相比,Integra的100V氮化鎵技術(shù)使設(shè)計(jì)師能夠大幅提高系統(tǒng)的功率水平和功能,同時(shí)還能采用更低功率的組合電路來(lái)簡(jiǎn)化系統(tǒng)架構(gòu)。
客戶最終可以受益于更小的系統(tǒng)占用空間和更低的系統(tǒng)成本。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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DK-ILT001隨附一個(gè)面向OpenCV、PCL、ROS和Unity,以及C++和Python的軟件API。這簡(jiǎn)化了對(duì)具有更高水平3D性能的新應(yīng)用的評(píng)估和開發(fā)。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 180 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 800 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 286 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
系列: XPB180N04
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 58 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 24 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 67 ns
典型接通延遲時(shí)間: 53 ns
零件號(hào)別名: IPB180N04S4-00 SP000646176
單位重量: 1.600 g
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術(shù),此技術(shù)適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,包括雷達(dá)、航空電子、電子戰(zhàn)、工業(yè)、科研和醫(yī)療系統(tǒng)。
在100V工作時(shí),此項(xiàng)技術(shù)通過(guò)單個(gè)氮化鎵晶體管即可實(shí)現(xiàn)3.6千瓦(kW)的輸出功率,打破了射頻功率的性能屏障。與更常見的50V/65V氮化鎵技術(shù)相比,Integra的100V氮化鎵技術(shù)使設(shè)計(jì)師能夠大幅提高系統(tǒng)的功率水平和功能,同時(shí)還能采用更低功率的組合電路來(lái)簡(jiǎn)化系統(tǒng)架構(gòu)。
客戶最終可以受益于更小的系統(tǒng)占用空間和更低的系統(tǒng)成本。
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