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100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術(shù)的三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)測(cè)量

發(fā)布時(shí)間:2021/7/29 13:14:40 訪問(wèn)次數(shù):389

Raspberry Pi主機(jī),以高達(dá)120 FPS的速度進(jìn)行快速3D傳感,從而能夠?qū)焖僖苿?dòng)的物體進(jìn)行高精度、低延遲的三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)測(cè)量。在其他特定主機(jī)上亦可實(shí)現(xiàn)并支持更高的速度(即>600fps)。

DK-ILT001外形小巧輕便[44(寬)×24(深)×16(高)mm,重16g],支持開發(fā)緊湊型3D傳感系統(tǒng)。該系統(tǒng)可輕松附著于包括移動(dòng)物體在內(nèi)的許多設(shè)備上,并由價(jià)格不貴的Raspberry Pi設(shè)備進(jìn)行托管。

DK-ILT001隨附一個(gè)面向OpenCV、PCL、ROS和Unity,以及C++和Python的軟件API。這簡(jiǎn)化了對(duì)具有更高水平3D性能的新應(yīng)用的評(píng)估和開發(fā)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 800 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 286 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

系列: XPB180N04

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 58 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 24 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 67 ns

典型接通延遲時(shí)間: 53 ns

零件號(hào)別名: IPB180N04S4-00 SP000646176

單位重量: 1.600 g

100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術(shù),此技術(shù)適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,包括雷達(dá)、航空電子、電子戰(zhàn)、工業(yè)、科研和醫(yī)療系統(tǒng)。

在100V工作時(shí),此項(xiàng)技術(shù)通過(guò)單個(gè)氮化鎵晶體管即可實(shí)現(xiàn)3.6千瓦(kW)的輸出功率,打破了射頻功率的性能屏障。與更常見的50V/65V氮化鎵技術(shù)相比,Integra的100V氮化鎵技術(shù)使設(shè)計(jì)師能夠大幅提高系統(tǒng)的功率水平和功能,同時(shí)還能采用更低功率的組合電路來(lái)簡(jiǎn)化系統(tǒng)架構(gòu)。

客戶最終可以受益于更小的系統(tǒng)占用空間和更低的系統(tǒng)成本。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


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DK-ILT001外形小巧輕便[44(寬)×24(深)×16(高)mm,重16g],支持開發(fā)緊湊型3D傳感系統(tǒng)。該系統(tǒng)可輕松附著于包括移動(dòng)物體在內(nèi)的許多設(shè)備上,并由價(jià)格不貴的Raspberry Pi設(shè)備進(jìn)行托管。

DK-ILT001隨附一個(gè)面向OpenCV、PCL、ROS和Unity,以及C++和Python的軟件API。這簡(jiǎn)化了對(duì)具有更高水平3D性能的新應(yīng)用的評(píng)估和開發(fā)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 800 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 286 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

系列: XPB180N04

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 58 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 24 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 67 ns

典型接通延遲時(shí)間: 53 ns

零件號(hào)別名: IPB180N04S4-00 SP000646176

單位重量: 1.600 g

100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術(shù),此技術(shù)適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,包括雷達(dá)、航空電子、電子戰(zhàn)、工業(yè)、科研和醫(yī)療系統(tǒng)。

在100V工作時(shí),此項(xiàng)技術(shù)通過(guò)單個(gè)氮化鎵晶體管即可實(shí)現(xiàn)3.6千瓦(kW)的輸出功率,打破了射頻功率的性能屏障。與更常見的50V/65V氮化鎵技術(shù)相比,Integra的100V氮化鎵技術(shù)使設(shè)計(jì)師能夠大幅提高系統(tǒng)的功率水平和功能,同時(shí)還能采用更低功率的組合電路來(lái)簡(jiǎn)化系統(tǒng)架構(gòu)。

客戶最終可以受益于更小的系統(tǒng)占用空間和更低的系統(tǒng)成本。

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