Integra的100V射頻氮化鎵技術(shù)的問世是高功率市場的一個(gè)重要里程碑。此項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)可以消除目前限制系統(tǒng)性能的障礙，并支持采用以前無法實(shí)現(xiàn)的新架構(gòu)。

Integra的首款100V射頻氮化鎵產(chǎn)品是IGN1011S3600，專為航空電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。IGN1011S3600輸出功率為3.6千瓦，增益19dB，效率70%，在業(yè)界領(lǐng)先。

通過將他們的專有代碼與Microchip的全功能PD協(xié)議棧相結(jié)合，設(shè)計(jì)人員可靈活地創(chuàng)建差異化產(chǎn)品，同時(shí)為其USB系統(tǒng)選擇各種Microchip 智能集線器（SmartHub）、單片機(jī)（MCU）和獨(dú)立PD決方案。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 245 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 80 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 21 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 90 ns

典型接通延遲時(shí)間: 20 ns

零件號(hào)別名: IPB180N04S4L-01 SP000979928

單位重量: 1.600 g

利用軟件和硬件框架，開發(fā)人員還可以從Microchip新推出的控制器系列產(chǎn)品中進(jìn)行選擇，以擁有PD功能，包括新推出的UPD301B 和 UPD301C獨(dú)立PD控制器。 

PD架構(gòu)的開放性使客戶可以輕松地將USB-C / PD端口添加到各種嵌入式應(yīng)用中，同時(shí)還允許客戶將未使用的引腳或CPU存儲(chǔ)器重新分配給其他系統(tǒng)功能，并支持多種Microchip SAM和PIC®單片機(jī)以及dsPIC®數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）。

新的PD軟件框架，所有支持USB-C的Microchip 單片機(jī)和獨(dú)立控制器現(xiàn)在都可以共享相同的PD代碼庫。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）