I/O接口的雙向過壓保護(hù)元件的產(chǎn)品組合鉗位電壓為7.2V
發(fā)布時間:2021/7/31 22:44:36 訪問次數(shù):461
超小型的高功率TVS（瞬態(tài)抑制）二極管，進(jìn)一步擴(kuò)展了I/O接口的雙向過壓保護(hù)元件的產(chǎn)品組合。
新元件采用芯片級封裝，尺寸僅為400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封裝高度也極低，僅為100μm。
新型TVS二極管的設(shè)計工作電壓為5V，響應(yīng)電壓為6.8 V。
在不同的峰值脈沖電流條件下，兩款新元件的端接電壓也不相同：當(dāng)峰值脈沖電流為8 A時，鉗位電壓為7.2 V；當(dāng)峰值脈沖電流為16 A時，端接電壓為8 V。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:低壓差穩(wěn)壓器RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DSBGA-4輸出電壓:2.85 V輸出電流:250 mA輸出端數(shù)量:1 Output極性:Positive靜態(tài)電流:250 uA最大輸入電壓:5.5 V最小輸入電壓:2.2 V輸出類型:Fixed最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C回動電壓:50 mV系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel工作溫度范圍:- 4產(chǎn)品:LDO Voltage Regulators容差:2 %類型:Ultra Low Noise Linear Regulator商標(biāo):Texas Instruments回動電壓—最大值:200 mVPSRR/紋波抑制—典型值:82 dB線路調(diào)整率:0.02 %負(fù)載調(diào)節(jié):0.001 %工作電源電流:12 uA產(chǎn)品類型:LDO Voltage Regulators3000子類別:PMIC - Power Management ICs單位重量:0.500 mg
新產(chǎn)品采用新一代具有低壓溝槽結(jié)構(gòu)的U-MOSⅩ-H工藝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低漏源導(dǎo)通電阻。這減少了導(dǎo)通損耗，有助于降低設(shè)備的功耗。
此外，它們繼承了現(xiàn)有工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關(guān)電荷特性。這降低了漏源導(dǎo)通電阻x柵極開關(guān)電荷的值（開關(guān)應(yīng)用的品質(zhì)因數(shù)）。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
超小型的高功率TVS（瞬態(tài)抑制）二極管，進(jìn)一步擴(kuò)展了I/O接口的雙向過壓保護(hù)元件的產(chǎn)品組合。
新元件采用芯片級封裝，尺寸僅為400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封裝高度也極低，僅為100μm。
新型TVS二極管的設(shè)計工作電壓為5V，響應(yīng)電壓為6.8 V。
在不同的峰值脈沖電流條件下，兩款新元件的端接電壓也不相同：當(dāng)峰值脈沖電流為8 A時，鉗位電壓為7.2 V；當(dāng)峰值脈沖電流為16 A時，端接電壓為8 V。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:低壓差穩(wěn)壓器RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DSBGA-4輸出電壓:2.85 V輸出電流:250 mA輸出端數(shù)量:1 Output極性:Positive靜態(tài)電流:250 uA最大輸入電壓:5.5 V最小輸入電壓:2.2 V輸出類型:Fixed最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C回動電壓:50 mV系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel工作溫度范圍:- 4產(chǎn)品:LDO Voltage Regulators容差:2 %類型:Ultra Low Noise Linear Regulator商標(biāo):Texas Instruments回動電壓—最大值:200 mVPSRR/紋波抑制—典型值:82 dB線路調(diào)整率:0.02 %負(fù)載調(diào)節(jié):0.001 %工作電源電流:12 uA產(chǎn)品類型:LDO Voltage Regulators3000子類別:PMIC - Power Management ICs單位重量:0.500 mg
新產(chǎn)品采用新一代具有低壓溝槽結(jié)構(gòu)的U-MOSⅩ-H工藝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低漏源導(dǎo)通電阻。這減少了導(dǎo)通損耗，有助于降低設(shè)備的功耗。
此外，它們繼承了現(xiàn)有工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關(guān)電荷特性。這降低了漏源導(dǎo)通電阻x柵極開關(guān)電荷的值（開關(guān)應(yīng)用的品質(zhì)因數(shù)）。
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