與IGBT相當(dāng)?shù)亩搪纺褪苣芰山?jīng)受有害的電瞬變。在結(jié)溫0至175攝氏度范圍內(nèi)，相比對(duì)溫度更敏感的碳化硅MOSFET，較平坦的RDS（on）曲線(xiàn)使電力系統(tǒng)能夠更穩(wěn)定地運(yùn)行。

Microchip通過(guò)AgileSwitch®數(shù)字可編程門(mén)驅(qū)動(dòng)器系列和各種分立和功率模塊，以標(biāo)準(zhǔn)和可定制的形式簡(jiǎn)化了技術(shù)的采用。這些柵極驅(qū)動(dòng)器有助于加快碳化硅從實(shí)驗(yàn)到生產(chǎn)的開(kāi)發(fā)速度。

Microchip的其他碳化硅產(chǎn)品包括700V和1200V的MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管系列，提供裸片和各種分立和功率模塊封裝。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類(lèi):LED照明驅(qū)動(dòng)器RoHS: 封裝:Cut Tape封裝:Reel商標(biāo):Texas Instruments濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類(lèi)型:LED Lighting Drivers2000子類(lèi)別:

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類(lèi):LED照明驅(qū)動(dòng)器RoHS: 封裝:Cut Tape封裝:Reel商標(biāo):Texas Instruments濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類(lèi)型:LED Lighting Drivers2000子類(lèi)別:Driver ICs

模組采用芯片尖端貼裝技術(shù)。其中，圖像傳感器和光學(xué)器件置于設(shè)備的尖端（遠(yuǎn)端）。

它專(zhuān)為近距離最佳性能而設(shè)計(jì)。鏡頭將寬視場(chǎng)角（FoV）和擴(kuò)展景深（DOF）相結(jié)合，減少了失真，圖像清晰準(zhǔn)確。

Microchip將內(nèi)部碳化硅裸片生產(chǎn)與低電感功率封裝和數(shù)字可編程門(mén)驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合，使設(shè)計(jì)人員能夠制造出最高效、緊湊和可靠的最終產(chǎn)品。

抗退化體二極管利用碳化硅MOSFET可以消除對(duì)外部二極管的需要。

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