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RMII背對背模式適用于需要電纜傳輸距離超過2000m的應(yīng)用

發(fā)布時間:2021/8/3 22:47:50 訪問次數(shù):693

Pickering Interfaces設(shè)計和制造用于電子測試和驗證的模塊化信號切換和模擬。為PXI、LXI和PCI應(yīng)用提供業(yè)界最大范圍的開關(guān)和模擬產(chǎn)品。

為了支持這些產(chǎn)品,我們還提供電纜和連接器解決方案,診斷測試工具,以及我們的應(yīng)用軟件和由內(nèi)部軟件團(tuán)隊創(chuàng)建的軟件驅(qū)動程序。

DP83TD510E具有外部MDI端接,可支持本質(zhì)安全要求,并且還支持RMII背對背模式,適用于需要電纜傳輸距離超過2,000m的應(yīng)用。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:串行器/解串器 - SerdesRoHS: 類型:Deserializer數(shù)據(jù)速率:1664 Mb/s輸入類型:LVCMOS輸出類型:LVCMOS輸入端數(shù)量:2 Input輸出端數(shù)量:2 Output工作電源電壓:1.8 V, 3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-48資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel產(chǎn)品:Deserializers系列:商標(biāo):Texas Instruments開發(fā)套件:DS90UB954-Q1EVM濕度敏感性:Yes工作電源電流:240 mAPd-功率耗散:564 mW產(chǎn)品類型:Serializers & Deserializers - Serdes250子類別:Interface ICs電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:1.71 V單位重量:120.200 mg

全新的650V和1200V產(chǎn)品,所有這些器件均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝。

D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的開關(guān)速度,通過開爾文(Kelvin)源極連接改善了柵極驅(qū)動器的回路性能,并具有業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力。

通過利用銀燒結(jié)技術(shù)(Ag Sintering),可以在常規(guī)PCB以及復(fù)雜的絕緣金屬基板(IMS)上完成管芯貼附。此外,它們具有出色的爬電距離(6.7mm)和電氣間隙能力(6.1mm),這意味著即使在更高電壓下也可以確保最高的操作安全性。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Pickering Interfaces設(shè)計和制造用于電子測試和驗證的模塊化信號切換和模擬。為I、LXI和PCI應(yīng)用提供業(yè)界最大范圍的開關(guān)和模擬產(chǎn)品。

為了支持這些產(chǎn)品,我們還提供電纜和連接器解決方案,診斷測試工具,以及我們的應(yīng)用軟件和由內(nèi)部軟件團(tuán)隊創(chuàng)建的軟件驅(qū)動程序。

DP83TD510E具有外部MDI端接,可支持本質(zhì)安全要求,并且還支持RMII背對背模式,適用于需要電纜傳輸距離超過2,000m的應(yīng)用。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:串行器/解串器 - SerdesRoHS: 類型:Deserializer數(shù)據(jù)速率:1664 Mb/s輸入類型:LVCMOS輸出類型:LVCMOS輸入端數(shù)量:2 Input輸出端數(shù)量:2 Output工作電源電壓:1.8 V, 3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-48資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel產(chǎn)品:Deserializers系列:商標(biāo):Texas Instruments開發(fā)套件:DS90UB954-Q1EVM濕度敏感性:Yes工作電源電流:240 mAPd-功率耗散:564 mW產(chǎn)品類型:Serializers & Deserializers - Serdes250子類別:Interface ICs電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:1.71 V單位重量:120.200 mg

全新的650V和1200V產(chǎn)品,所有這些器件均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝。

D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的開關(guān)速度,通過開爾文(Kelvin)源極連接改善了柵極驅(qū)動器的回路性能,并具有業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力。

通過利用銀燒結(jié)技術(shù)(Ag Sintering),可以在常規(guī)PCB以及復(fù)雜的絕緣金屬基板(IMS)上完成管芯貼附。此外,它們具有出色的爬電距離(6.7mm)和電氣間隙能力(6.1mm),這意味著即使在更高電壓下也可以確保最高的操作安全性。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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