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3DMAG™系列旋轉(zhuǎn)和線性磁性位置傳感器IC和mmWave頻段

發(fā)布時間:2021/8/3 22:54:49 訪問次數(shù):460

汽車和工業(yè)應(yīng)用的3DMAG™系列旋轉(zhuǎn)和線性磁性位置傳感器IC的最新成員A31315,3DMAG™系列傳感器結(jié)合了Allegro得到業(yè)界長期驗證的平面和垂直霍爾效應(yīng)技術(shù),可沿三個軸(X,Y,Z)測量磁場分量,從而實現(xiàn)真正的3D感測能力,并具有寬的磁動態(tài)范圍,而不會發(fā)生飽和現(xiàn)象。

高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)和自動駕駛系統(tǒng)的不斷發(fā)展為系統(tǒng)集成商帶來了全新的性能和功能安全挑戰(zhàn)。 A31315傳感器通過提供安全關(guān)鍵汽車應(yīng)用所必需的測量精度和性能來克服這些挑戰(zhàn),能夠滿足轉(zhuǎn)向、制動、變速箱和節(jié)氣門系統(tǒng)等應(yīng)用場景的嚴(yán)格要求。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:20 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.45 V Qg-柵極電荷:33 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:2.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.75 mm 長度:4.9 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:57 S 下降時間:6 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14 ns 工廠包裝數(shù)量4000 子類別:MOSFETs 單位重量:540 mg

驍龍X65和驍龍X62都支持sub-6GHz和mmWave頻段,所以網(wǎng)絡(luò)兼容性不會是一個問題。唯一懸念是筆記本制造商是否提供了適當(dāng)?shù)奶炀設(shè)計.

驍龍X65 5G調(diào)制解調(diào)器現(xiàn)在支持更廣泛的毫米波覆蓋,提高了電源效率以適應(yīng)2022年的iPhone范圍,這些參考設(shè)計調(diào)制解調(diào)器將進(jìn)一步擴展高通5G基礎(chǔ)設(shè)備服務(wù),不僅僅是讓智能手機獲得極快的連接。

這些最新的SiC FET可提供30、40、80和150mΩ版本,表明碳化硅器件在加速向服務(wù)器和電信電源、工業(yè)電池充電器和電源、電動汽車車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的擴展過程中又邁出了一大步。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

汽車和工業(yè)應(yīng)用的3DMAG™系列旋轉(zhuǎn)和線性磁性位置傳感器IC的最新成員A31315,3DMAG™系列傳感器結(jié)合了Allegro得到業(yè)界長期驗證的平面和垂直霍爾效應(yīng)技術(shù),可沿三個軸(X,Y,Z)測量磁場分量,從而實現(xiàn)真正的3D感測能力,并具有寬的磁動態(tài)范圍,而不會發(fā)生飽和現(xiàn)象。

高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)和自動駕駛系統(tǒng)的不斷發(fā)展為系統(tǒng)集成商帶來了全新的性能和功能安全挑戰(zhàn)。 A31315傳感器通過提供安全關(guān)鍵汽車應(yīng)用所必需的測量精度和性能來克服這些挑戰(zhàn),能夠滿足轉(zhuǎn)向、制動、變速箱和節(jié)氣門系統(tǒng)等應(yīng)用場景的嚴(yán)格要求。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:20 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.45 V Qg-柵極電荷:33 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:2.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.75 mm 長度:4.9 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:57 S 下降時間:6 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14 ns 工廠包裝數(shù)量4000 子類別:MOSFETs 單位重量:540 mg

驍龍X65和驍龍X62都支持sub-6GHz和mmWave頻段,所以網(wǎng)絡(luò)兼容性不會是一個問題。唯一懸念是筆記本制造商是否提供了適當(dāng)?shù)奶炀設(shè)計.

驍龍X65 5G調(diào)制解調(diào)器現(xiàn)在支持更廣泛的毫米波覆蓋,提高了電源效率以適應(yīng)2022年的iPhone范圍,這些參考設(shè)計調(diào)制解調(diào)器將進(jìn)一步擴展高通5G基礎(chǔ)設(shè)備服務(wù),不僅僅是讓智能手機獲得極快的連接。

這些最新的SiC FET可提供30、40、80和150mΩ版本,表明碳化硅器件在加速向服務(wù)器和電信電源、工業(yè)電池充電器和電源、電動汽車車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的擴展過程中又邁出了一大步。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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