EVLMG1-250WLLC是一個(gè)標(biāo)稱400V輸入的電源參考設(shè)計(jì)，提供一個(gè)24V/10A輸出端口，最高能效超過94％。得益于MasterGaN內(nèi)部集成的安全功能，變換器輸出有短路和過流保護(hù)功能。

還具有欠壓保護(hù)和輸入電壓監(jiān)測(cè)功能，電壓檢測(cè)功能可在多個(gè)DC/DC變換器中實(shí)現(xiàn)上電排序，防止電動(dòng)機(jī)低壓起動(dòng)。

意法半導(dǎo)體的MasterGaN系列產(chǎn)品由引腳兼容的集成半橋產(chǎn)品組成，包括對(duì)稱和非對(duì)稱配置，采用9mm x 9mm的薄型GQFN封裝。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Qg-柵極電荷: 172 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 28 S

下降時(shí)間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 40 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns

典型接通延遲時(shí)間: 15 ns

零件號(hào)別名: IPB100N04S2-04 SP001058122

單位重量: 4 g

RZ/V2L MPU的關(guān)鍵特性

64位Arm® Cortex®-A55（1.2GHz，雙核或單核）內(nèi)核和Cortex-M33內(nèi)核

DRP-AI（1TOPS/W級(jí)）AI加速器，能夠以每秒28幀（fps）的速度運(yùn)行Tiny YOLOv2

DRP庫提供機(jī)器視覺所需的簡(jiǎn)單ISP功能（最高可支持全高清）

16位、單通道DDR內(nèi)存接口

年內(nèi)能3D圖形功能（Arm MaliTM-G31 GPU）

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