Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡(jiǎn)潔的無(wú)橋圖騰柱PFC電路
發(fā)布時(shí)間:2021/8/5 18:42:55 訪問(wèn)次數(shù):305
全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝,對(duì)于給定RDS(on)值,芯片尺寸縮小36%,具有更好的穩(wěn)定性和效率。
鈦金級(jí)是80 PLUS®規(guī)格中最嚴(yán)苛的,滿(mǎn)載條件下要求達(dá)到>91%的效率(半載條件下>96%)。
對(duì)于2 kW及更高功率的服務(wù)器電源應(yīng)用,使用傳統(tǒng)硅器件來(lái)實(shí)現(xiàn)這種性能水平,電路設(shè)計(jì)復(fù)雜而具有挑戰(zhàn)性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡(jiǎn)潔的無(wú)橋圖騰柱PFC電路,使用更少的器件,并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。
切換器配有錯(cuò)誤處理、先進(jìn)的錯(cuò)誤報(bào)告等功能,以及帶有糾錯(cuò)功能的端到端數(shù)據(jù)保護(hù)功能,這是可靠性、可用性與服務(wù)性 (RAS) 方面的關(guān)鍵功能。
先進(jìn)的電源管理能力,代表這款切換器符合最嚴(yán)格的節(jié)能要求。在熱插入埠未使用時(shí),將維持在低功耗狀態(tài)。在滿(mǎn)載條件和 80°C 的接面溫度下,PI7C9X3G808GP 的功耗僅為 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封裝方式,尺寸為 15mm x 15mm。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝,對(duì)于給定RDS(on)值,芯片尺寸縮小36%,具有更好的穩(wěn)定性和效率。
鈦金級(jí)是80 PLUS®規(guī)格中最嚴(yán)苛的,滿(mǎn)載條件下要求達(dá)到>91%的效率(半載條件下>96%)。
對(duì)于2 kW及更高功率的服務(wù)器電源應(yīng)用,使用傳統(tǒng)硅器件來(lái)實(shí)現(xiàn)這種性能水平,電路設(shè)計(jì)復(fù)雜而具有挑戰(zhàn)性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡(jiǎn)潔的無(wú)橋圖騰柱PFC電路,使用更少的器件,并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。
切換器配有錯(cuò)誤處理、先進(jìn)的錯(cuò)誤報(bào)告等功能,以及帶有糾錯(cuò)功能的端到端數(shù)據(jù)保護(hù)功能,這是可靠性、可用性與服務(wù)性 (RAS) 方面的關(guān)鍵功能。
先進(jìn)的電源管理能力,代表這款切換器符合最嚴(yán)格的節(jié)能要求。在熱插入埠未使用時(shí),將維持在低功耗狀態(tài)。在滿(mǎn)載條件和 80°C 的接面溫度下,PI7C9X3G808GP 的功耗僅為 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封裝方式,尺寸為 15mm x 15mm。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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