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功能塊和IDENTControl控制接口單元用于PLC應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021/8/6 0:00:30 訪問(wèn)次數(shù):645

解決方案基于UHF RFID技術(shù),可實(shí)現(xiàn)較高的檢測(cè)范圍(最高6 m)和速度,并支持多標(biāo)簽讀取。

IUT-F190-B40的發(fā)射功率可達(dá)1000 mW ERP,外殼尺寸僅為114 x 112 x 63 mm,這使其在市場(chǎng)上的性能堪稱一流。

倍加福的其他RFID讀寫(xiě)頭主要通過(guò)功能塊和IDENTControl控制接口單元用于PLC應(yīng)用,而IUT-F190-B40可以通過(guò)使用REST API輕松集成到IT系統(tǒng)中。

可以通過(guò)此接口對(duì)UHF讀碼器進(jìn)行完全的參數(shù)化和操作。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 233 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 22 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 55 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 85 ns

典型接通延遲時(shí)間: 19 ns

零件號(hào)別名: IPB80N08S2L-07 SP000219051

單位重量: 4 g

距離測(cè)量應(yīng)用的發(fā)展,比如自動(dòng)化技術(shù)中的機(jī)器人技術(shù)。為滿足嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境的高要求,TDK開(kāi)發(fā)了一種緊湊且堅(jiān)固耐用的超聲波傳感器模塊。

市面上的距離測(cè)量和物體檢測(cè)技術(shù)有很多,但大多不適合工業(yè)應(yīng)用。

例如,基于毫米波雷達(dá)和激光雷達(dá)的系統(tǒng)價(jià)格昂貴并且功耗相對(duì)較高,并且光學(xué)系統(tǒng)受環(huán)境光、反射和霧霾污染影響較大,很少用于工業(yè)環(huán)境。

而實(shí)踐證明,基于飛行時(shí)間 (ToF) 工作原理的超聲波測(cè)量方法能可靠用于工業(yè)環(huán)境。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

解決方案基于UHF RFID技術(shù),可實(shí)現(xiàn)較高的檢測(cè)范圍(最高6 m)和速度,并支持多標(biāo)簽讀取。

IUT-F190-B40的發(fā)射功率可達(dá)1000 mW ERP,外殼尺寸僅為114 x 112 x 63 mm,這使其在市場(chǎng)上的性能堪稱一流。

倍加福的其他RFID讀寫(xiě)頭主要通過(guò)功能塊和IDENTControl控制接口單元用于PLC應(yīng)用,而IUT-F190-B40可以通過(guò)使用REST API輕松集成到IT系統(tǒng)中。

可以通過(guò)此接口對(duì)UHF讀碼器進(jìn)行完全的參數(shù)化和操作。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 233 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 22 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 55 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 85 ns

典型接通延遲時(shí)間: 19 ns

零件號(hào)別名: IPB80N08S2L-07 SP000219051

單位重量: 4 g

距離測(cè)量應(yīng)用的發(fā)展,比如自動(dòng)化技術(shù)中的機(jī)器人技術(shù)。為滿足嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境的高要求,TDK開(kāi)發(fā)了一種緊湊且堅(jiān)固耐用的超聲波傳感器模塊。

市面上的距離測(cè)量和物體檢測(cè)技術(shù)有很多,但大多不適合工業(yè)應(yīng)用。

例如,基于毫米波雷達(dá)和激光雷達(dá)的系統(tǒng)價(jià)格昂貴并且功耗相對(duì)較高,并且光學(xué)系統(tǒng)受環(huán)境光、反射和霧霾污染影響較大,很少用于工業(yè)環(huán)境。

而實(shí)踐證明,基于飛行時(shí)間 (ToF) 工作原理的超聲波測(cè)量方法能可靠用于工業(yè)環(huán)境。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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