除了尺寸，新系列還具有比競品明顯更好的電氣性能,相比于薄膜或金屬復合技術(shù)，CLT32系列的高頻交流電流損失明顯要低得多。

金屬復合電感器在2 A紋波電流下的功率損耗為0.28 W，而新型TDK電感器的值僅為0.18 W。

此外，憑借高達10 MHz的寬頻率范圍，這種堅固耐用的電感器還非常適合GaN半導體應(yīng)用。

CLT32系列功率電感器的尺寸僅為3.2 x 2.5 mm2，高度僅為2.5 mm，兼具優(yōu)異的電氣特性，堪稱小型化領(lǐng)域的新標桿。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: Power-56-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 19.4 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Qg-柵極電荷: 100 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: PowerTrench

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 6 mm

系列: FDMS039N08B

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5 mm

商標: ON Semiconductor / Fairchild

產(chǎn)品類型: MOSFET

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: MOSFETs

單位重量: 68.100 mg

TDK數(shù)字角度傳感器產(chǎn)品具有各種內(nèi)部診斷特性，讓TAD2141和TAD4140適合有功能安全要求的汽車應(yīng)用，TAD4140在系統(tǒng)層面符合汽車功能安全完整性等級D（ASIL D），而且因其擁有電隔離信號，高信號可用性以及高診斷覆蓋率，TAD4140也能支持故障工作模式。

數(shù)字輸出支持霍爾仿真（UVW），12位ENC，增量編碼器（ABZ），脈寬調(diào)制（PWM）和串行外設(shè)接口（SPI）。