低阻值的分流電阻器簡化200W的高能效電源變換應(yīng)用的設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2021/8/7 8:46:49 訪問次數(shù):208
MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對(duì)稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡化高達(dá)200W的高能效電源變換應(yīng)用的設(shè)計(jì)。
作為意法半導(dǎo)體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，MasterGaN4解決了復(fù)雜的柵極控制和電路布局難題，簡化了寬帶隙GaN功率半導(dǎo)體的應(yīng)用設(shè)計(jì)。
MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應(yīng)傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。
ROHM新開發(fā)出大功率、低阻值的分流電阻器“GMR320”。此外，通過擴(kuò)展大功率、超低阻值分流電阻器“PSR系列”的額定功率保證值，使產(chǎn)品陣容涵蓋了最高達(dá)15W的大功率范圍。
這兩個(gè)系列均符合無源元器件的汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q200※2，并且均支持在最高170℃的工作溫度下使用，因此即使在引擎周圍等溫度條件格外嚴(yán)苛的車載應(yīng)用中，也具有非常高的可靠性。
例如，當(dāng)在7W條件下使用5mΩ產(chǎn)品時(shí)，普通產(chǎn)品的表面溫升達(dá)到154.3℃，而新產(chǎn)品的表面溫升僅為117.8℃，減少23％。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對(duì)稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡化高達(dá)200W的高能效電源變換應(yīng)用的設(shè)計(jì)。
作為意法半導(dǎo)體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，MasterGaN4解決了復(fù)雜的柵極控制和電路布局難題，簡化了寬帶隙GaN功率半導(dǎo)體的應(yīng)用設(shè)計(jì)。
MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應(yīng)傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。
ROHM新開發(fā)出大功率、低阻值的分流電阻器“GMR320”。此外，通過擴(kuò)展大功率、超低阻值分流電阻器“PSR系列”的額定功率保證值，使產(chǎn)品陣容涵蓋了最高達(dá)15W的大功率范圍。
這兩個(gè)系列均符合無源元器件的汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q200※2，并且均支持在最高170℃的工作溫度下使用，因此即使在引擎周圍等溫度條件格外嚴(yán)苛的車載應(yīng)用中，也具有非常高的可靠性。
例如，當(dāng)在7W條件下使用5mΩ產(chǎn)品時(shí)，普通產(chǎn)品的表面溫升達(dá)到154.3℃，而新產(chǎn)品的表面溫升僅為117.8℃，減少23％。
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