ASB75系列具有基板冷卻功能，因此能夠在密封金屬外殼中使用被動冷壁冷卻將熱量傳遞到設備外部。

高達90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產(chǎn)生，并在一個僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工業(yè)標準半磚封裝內實現(xiàn)20W/in3的出色功率密度。

該系列有五種型號可選，提供12.0V、15.0V、24.0V、36.0V或48.0V的單輸出電壓。

ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW，大大減少了終端設備的備用電源需求，使其能夠滿足具有挑戰(zhàn)性的現(xiàn)代效率標準。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223-4 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 集電極—基極電壓 VCBO:80 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:330 mV 最大直流電集電極電流:20 A Pd-功率耗散:2.5 W 增益帶寬產(chǎn)品fT:180 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:280 高度:1.65 mm 長度:6.7 mm 技術:Si 寬度:3.7 mm 商標:Diodes Incorporated 集電極連續(xù)電流:5 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 at 20 A, 2 V 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:Transistors 單位重量:112 mg

150V耐壓GaN HEMT*1(以下稱“GaN器件”）的、高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術。

近年來，在服務器系統(tǒng)等領域，由于IoT設備的需求日益增長，功率轉換效率的提升和設備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題之一，而這就要求功率元器件的進一步發(fā)展與進步。

此外，還配合本技術開發(fā)出一種專用封裝，采用這種封裝不僅可以通過更低的寄生電感更好地發(fā)揮出器件的性能，還使產(chǎn)品更易于在電路板上安裝并具有更出色散熱性，從而可以使現(xiàn)有硅器件的替換和安裝工序中的操作更輕松。

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