新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝，10V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

SQJA81EP 10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為52 nC，減少柵極驅(qū)動損耗，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，即用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的MOSFET優(yōu)值系數(shù)（FOM）達到業(yè)界出色水平。

MOSFET提高了功率密度，從而減少需要并聯(lián)的元器件數(shù)量，節(jié)省PCB空間。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:計數(shù)器移位寄存器RoHS: 計數(shù)順序:Serial to Serial/Parallel電路數(shù)量:4位數(shù):8 bit封裝 / 箱體:SOP-16邏輯系列:74HC邏輯類型:CMOS輸入線路數(shù)量:5 / 10輸出類型:3-State傳播延遲時間:200 ns, 40 ns, 34 ns電源電壓-最大:6 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Tube功能:Tri-State 8-Bit工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C系列:寬度:3.91 mm商標:Texas Instruments安裝風(fēng)格:SMD/SMT輸出線路數(shù)量:10工作電源電壓:2 V to 6 V產(chǎn)品類型:Counter Shift Registers40子類別:Logic ICs單位重量:141.700 mg

在傳統(tǒng)的FSI和BSI技術(shù)之外開拓全新的技術(shù)道路，發(fā)布了基于其創(chuàng)新設(shè)計架構(gòu)的第一代DSI像素技術(shù)，該技術(shù)相較主流FSI技術(shù)擁有更高的靈敏度與信噪比。

新一代DSI-2技術(shù)，相較前代技術(shù)產(chǎn)品在感光度及色彩表現(xiàn)力等性能上再度提升，同時思特威再次在DSI-2技術(shù)開發(fā)中融合了創(chuàng)新的像素工藝設(shè)計。

而在日間光線充足的應(yīng)用場景，SC233A與SC223A憑借思特威特有的PixGainTM技術(shù)，滿阱電子提升超過2倍，有效增加了日間成像的動態(tài)范圍及最大信噪比。