全新無(wú)傳感器電機(jī)控制IC以更小的封裝囊括了客戶(hù)對(duì)增強(qiáng)控制功能
發(fā)布時(shí)間:2021/8/8 9:20:23 訪問(wèn)次數(shù):177
與有刷直流電機(jī)相比,BLDC電機(jī)更小、更輕、更可靠、壽命更長(zhǎng),是應(yīng)對(duì)以上挑戰(zhàn)的有效解決方案。
我們很高興推出全新無(wú)傳感器電機(jī)控制IC,它以更小的封裝囊括了客戶(hù)對(duì)增強(qiáng)控制功能、高精度和高效率水平等諸多需求。
瑞薩全新電機(jī)控制IC技術(shù)已被電機(jī),吸塵器電機(jī),鼓風(fēng)機(jī)及組件Domel集成至其無(wú)線吸塵器系統(tǒng)中。
通過(guò)將Domel與瑞薩的技術(shù)相融合,我們能夠?yàn)榭蛻?hù)構(gòu)建完整、具有競(jìng)爭(zhēng)力和創(chuàng)新的解決方案。與瑞薩攜手合作,使我們能為客戶(hù)提供高性能、高質(zhì)量和高可靠性的完整吸塵器電機(jī)系統(tǒng)。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 259 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 118 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: NexFET
封裝: Tube
配置: Single
高度: 16.51 mm
長(zhǎng)度: 10.67 mm
系列: CSD19536KCS
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 4.7 mm
商標(biāo): Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值: 307 S
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
工廠包裝數(shù)量: 50
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 38 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
單位重量: 2 g

SMD和SIP兩種封裝,給客戶(hù)提供更多的選擇權(quán)。 K78xxJT-500R3-LB、K78xx-500R3-LB系列可廣泛應(yīng)用于工控、電力、儀表等多個(gè)行業(yè)。
開(kāi)板式經(jīng)濟(jì)型電源VCB/F系列,使用自主研發(fā)的IC,從內(nèi)部器件實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,具有高性能、小體積、高功率密度的特點(diǎn),助力5G行業(yè)發(fā)展。
在國(guó)產(chǎn)化浪潮的大趨勢(shì)下,國(guó)產(chǎn)化IC可使我司產(chǎn)品不受外部環(huán)境影響,持續(xù)穩(wěn)定維持供貨,為客戶(hù)及終端項(xiàng)目的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。
與有刷直流電機(jī)相比,BLDC電機(jī)更小、更輕、更可靠、壽命更長(zhǎng),是應(yīng)對(duì)以上挑戰(zhàn)的有效解決方案。
我們很高興推出全新無(wú)傳感器電機(jī)控制IC,它以更小的封裝囊括了客戶(hù)對(duì)增強(qiáng)控制功能、高精度和高效率水平等諸多需求。
瑞薩全新電機(jī)控制IC技術(shù)已被電機(jī),吸塵器電機(jī),鼓風(fēng)機(jī)及組件Domel集成至其無(wú)線吸塵器系統(tǒng)中。
通過(guò)將Domel與瑞薩的技術(shù)相融合,我們能夠?yàn)榭蛻?hù)構(gòu)建完整、具有競(jìng)爭(zhēng)力和創(chuàng)新的解決方案。與瑞薩攜手合作,使我們能為客戶(hù)提供高性能、高質(zhì)量和高可靠性的完整吸塵器電機(jī)系統(tǒng)。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 259 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 118 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: NexFET
封裝: Tube
配置: Single
高度: 16.51 mm
長(zhǎng)度: 10.67 mm
系列: CSD19536KCS
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 4.7 mm
商標(biāo): Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值: 307 S
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
工廠包裝數(shù)量: 50
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 38 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
單位重量: 2 g

SMD和SIP兩種封裝,給客戶(hù)提供更多的選擇權(quán)。 K78xxJT-500R3-LB、K78xx-500R3-LB系列可廣泛應(yīng)用于工控、電力、儀表等多個(gè)行業(yè)。
開(kāi)板式經(jīng)濟(jì)型電源VCB/F系列,使用自主研發(fā)的IC,從內(nèi)部器件實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,具有高性能、小體積、高功率密度的特點(diǎn),助力5G行業(yè)發(fā)展。
在國(guó)產(chǎn)化浪潮的大趨勢(shì)下,國(guó)產(chǎn)化IC可使我司產(chǎn)品不受外部環(huán)境影響,持續(xù)穩(wěn)定維持供貨,為客戶(hù)及終端項(xiàng)目的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。
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- 降低系統(tǒng)整體功耗的Tinywork®
- Silicon Labs節(jié)能型
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- 單一或互補(bǔ)信號(hào)驅(qū)動(dòng)板對(duì)板連接器MasterG
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