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ACS37610電流傳感器以薄型無(wú)鉛8引腳表面貼裝TSSOP封裝

發(fā)布時(shí)間:2021/8/9 7:32:11 訪問(wèn)次數(shù):802

ACS37610具有更大的2.5mm霍爾元件間距(ACS37612則為1.8mm),可容納更寬的淺槽,從而幾乎不會(huì)出現(xiàn)熱性能下降和熱點(diǎn)等問(wèn)題。

相對(duì)于匯流排,ACS37610能夠以水平或垂直方向安裝,從而在機(jī)械裝配中具有非常高靈活性。

ACS37610電流傳感器現(xiàn)在以薄型、無(wú)鉛8引腳表面貼裝TSSOP封裝提供,其超緊湊封裝非常適合于空間受限應(yīng)用,同時(shí)能夠采用簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)高效的表面貼裝。

為了幫助開(kāi)發(fā)人員加快設(shè)計(jì),Allegro還提供用于PCB或匯流排電流感測(cè)的評(píng)估套件和參考工具。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 212 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V

Qg-柵極電荷: 52 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 259 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: NexFET

封裝: Tube

配置: Single

高度: 16.51 mm

長(zhǎng)度: 10.67 mm

系列: CSD18502KCS

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

寬度: 4.7 mm

商標(biāo): Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值: 138 S

下降時(shí)間: 9.3 ns

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 7.3 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類(lèi)別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 33 ns

典型接通延遲時(shí)間: 11 ns

單位重量: 2 g

極緊湊設(shè)計(jì)與高功率密度相結(jié)合

模擬控制輸出電壓/電流,無(wú)需額外電路設(shè)計(jì)

具有監(jiān)視/設(shè)置/控制參數(shù)的數(shù)字接口

醫(yī)療(2×MOPP隔離和符合第4版)和工業(yè)認(rèn)證

5年保修

溫控風(fēng)扇

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

ACS37610具有更大的2.5mm霍爾元件間距(ACS37612則為1.8mm),可容納更寬的淺槽,從而幾乎不會(huì)出現(xiàn)熱性能下降和熱點(diǎn)等問(wèn)題。

相對(duì)于匯流排,ACS37610能夠以水平或垂直方向安裝,從而在機(jī)械裝配中具有非常高靈活性。

ACS37610電流傳感器現(xiàn)在以薄型、無(wú)鉛8引腳表面貼裝TSSOP封裝提供,其超緊湊封裝非常適合于空間受限應(yīng)用,同時(shí)能夠采用簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)高效的表面貼裝。

為了幫助開(kāi)發(fā)人員加快設(shè)計(jì),Allegro還提供用于PCB或匯流排電流感測(cè)的評(píng)估套件和參考工具。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 212 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V

Qg-柵極電荷: 52 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 259 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: NexFET

封裝: Tube

配置: Single

高度: 16.51 mm

長(zhǎng)度: 10.67 mm

系列: CSD18502KCS

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

寬度: 4.7 mm

商標(biāo): Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值: 138 S

下降時(shí)間: 9.3 ns

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 7.3 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類(lèi)別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 33 ns

典型接通延遲時(shí)間: 11 ns

單位重量: 2 g

極緊湊設(shè)計(jì)與高功率密度相結(jié)合

模擬控制輸出電壓/電流,無(wú)需額外電路設(shè)計(jì)

具有監(jiān)視/設(shè)置/控制參數(shù)的數(shù)字接口

醫(yī)療(2×MOPP隔離和符合第4版)和工業(yè)認(rèn)證

5年保修

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